基于二硫化钼的二维异质结晶体管的制备与性能研究.pdf

摘要

基于硅基等传统半导体材料的器件尺寸缩小工艺的发展，受到了一系列量子

效应和热效应等问题的巨大阻碍，使得仅靠等比例缩小硅基器件的尺寸就能提高

集成电路性能的时代正在走向终结。新型低维半导体材料由于独特的低维纳米结

构，表现出一系列不同于传统半导体的优异的电学、光学和力学性能，在场效应晶

体管、微（纳）机电系统、传感器等领域具有巨大潜力，被认为有望突破传统半导

体的尺寸瓶颈制备下一代信息器件。同时，将不同的低维纳米材料通过范德瓦尔斯

力的耦合作用结合在一起形成范德瓦尔斯异质结，可以充分利用不同低维纳米材

料的性能优势，从而能够实现更高性能的信息器件。因此，基于低维纳米半导体材

料及其异质结器件的制备及其性能研究，正受到越来越多学者的重视。

本论文聚焦基于二硫化钼（MoS）的二维范德瓦尔斯异质结的场效应晶体管

2

的制备和测试方法。通过全干转移的工艺技术，避免了传统低维纳米器件制备中需

要的多重复杂湿法工艺，保证低维纳米材料不受有机溶剂等化学药品的污染和损

伤，从而有利于保持材料的本征特性和得到更高性能的低维信息器件。本文通过利

用如石墨烯(graphene)、六方氮化硼(h-BN)等二维材料，与MoS材料构建范德瓦尔

2

斯异质结，并实现了对器件电学性能的测试。

本论文的主要研究内容包括，通过graphene与MoS2构成的异质结作为晶体管

沟道材料，形成可调肖特基势垒薄膜场效应晶体管，成功将graphene高迁移率与

MoS2高开关比的优势结合。进一步，利用graphene作为沟道材料MoS2的电极，

形成graphene/MoS/graphene异质结，能够有效地降低MoS和电极之间的肖特基

22

势垒进而大幅提高性能。同时，利用graphene和h-BN作为异质结晶体管的底栅和

绝缘介质层，实现了完全由二维纳米材料的构建的场效应晶体管，该结构可以有效

保证器件不受到基底材料表面悬挂键和陷阱对器件性能的干扰，更有利于研究低

维纳米器件丰富的低维物理现象。由于二维纳米半导体材料天然的柔韧性和原子

级厚度等优势，该二维异质结场效应晶体管的结构可以灵活地转移到柔性基底上

形成柔性电子器件。在此基础上，本文还测试了基于该graphene/MoS/graphene异

2

质结的柔性晶体管，验证了此类器件在柔性基底上仍能正常工作，在柔性、可穿戴

器件等领域具有一定的潜力。

关键词：低维纳米半导体材料，范德瓦尔斯异质结，场效应晶体管，柔性器件

ABSTRACT

Inrecentyears,thescalingofconventionalsilicon(Si)-basedsemiconductordevices

hasbeencriticallyhinderedbyquantumeffects,heateffectsandetc.,whichmeansthe

conventionalroutetoimprovethedeviceperformancebysimplyminiaturizingthesize

ofcomponentsisfacingincreasingchallenge.Novellow-dimensionalsemiconductor

nanomaterialsandtheirvanderWaals(vdWs)heterostructureshavebeenattractingalot

ofattentionowingtotheirintriguingphysicalpropertiessuchasatomic-levelthickness,

absenceofdanglingbonds