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(2025年)半导体制造技术考试题库(答案)

一、选择题

1.以下哪种光刻技术的分辨率最高？（）

A.紫外光刻

B.深紫外光刻

C.极紫外光刻

D.电子束光刻

答案：D

解析：紫外光刻分辨率相对较低，一般用于较大尺寸芯片制造；深紫外光刻是目前主流光刻技术之一，但分辨率不如极紫外光刻和电子束光刻；极紫外光刻具有很高分辨率，但电子束光刻理论上能实现更高分辨率，可用于制造纳米级器件，所以选D。

2.化学气相沉积（CVD）中，哪种气体常用于提供硅源？（）

A.硅烷（SiH?）

B.氢气（H?）

C.氮气（N?）

D.氧气（O?）

答案：A

解析：硅烷（SiH?）在CVD过程中可分解提供硅原子用于沉积硅薄膜，氢气常用于还原等过程，氮气常作为载气或保护气，氧气用于氧化等反应，并非硅源，所以选A。

3.以下哪种杂质扩散方式主要用于浅结扩散？（）

A.预淀积

B.再分布

C.离子注入后的退火

D.高温扩散

答案：A

解析：预淀积是在较低温度下进行，能形成较浅的杂质分布，适合浅结扩散；再分布是在预淀积后进一步扩散；离子注入后的退火主要是修复损伤和激活杂质；高温扩散会使杂质扩散较深，不适合浅结，所以选A。

4.刻蚀工艺中，各向同性刻蚀常用于（）。

A.制作精细图形

B.去除表面氧化层

C.制作高深宽比结构

D.制作多层布线

答案：B

解析：各向同性刻蚀在各个方向上刻蚀速率相同，难以制作精细图形和高深宽比结构；去除表面氧化层不需要精确的方向性，各向同性刻蚀可以较好完成；多层布线通常需要各向异性刻蚀来保证图形精度，所以选B。

5.半导体晶圆清洗中，常用的SC1溶液成分是（）。

A.氨水+双氧水+水

B.盐酸+双氧水+水

C.硫酸+双氧水+水

D.氢氟酸+水

答案：A

解析：SC1溶液即标准清洗液1，成分是氨水（NH?·H?O）、双氧水（H?O?）和水（H?O），用于去除颗粒和有机污染物；盐酸+双氧水+水是SC2溶液，用于去除金属杂质；硫酸+双氧水+水常用于去除有机物；氢氟酸+水用于去除氧化层，所以选A。

6.以下哪种材料常用于半导体器件的栅极？（）

A.多晶硅

B.单晶硅

C.二氧化硅

D.氮化硅

答案：A

解析：多晶硅具有良好的导电性和可加工性，能通过掺杂来调节电学性能，常用于半导体器件的栅极；单晶硅主要用于制作衬底；二氧化硅是常用的绝缘层材料；氮化硅常用于钝化层等，所以选A。

7.离子注入过程中，离子的能量主要影响（）。

A.注入离子的剂量

B.注入离子的深度

C.注入离子的种类

D.注入离子的浓度分布

答案：B

解析：离子注入剂量由注入离子的数量决定；离子能量越高，注入深度越深；注入离子的种类由离子源决定；离子浓度分布与注入能量、角度等多种因素有关，但能量主要影响深度，所以选B。

8.化学机械抛光（CMP）主要用于（）。

A.去除表面氧化层

B.平整晶圆表面

C.刻蚀图形

D.沉积薄膜

答案：B

解析：化学机械抛光是通过化学腐蚀和机械研磨共同作用，使晶圆表面达到高度平整；去除表面氧化层一般用湿法腐蚀或等离子体刻蚀；刻蚀图形用光刻和刻蚀工艺；沉积薄膜用CVD、PVD等方法，所以选B。

9.以下哪种检测技术可用于检测晶圆表面的微观缺陷？（）

A.光学显微镜

B.扫描电子显微镜（SEM）

C.X射线衍射仪

D.四探针测试仪

答案：B

解析：光学显微镜分辨率有限，难以检测微观缺陷；扫描电子显微镜具有高分辨率，可清晰观察晶圆表面微观缺陷；X射线衍射仪主要用于分析晶体结构；四探针测试仪用于测量材料的电阻率，所以选B。

10.以下哪种半导体制造工艺会在晶圆表面形成绝缘层？（）

A.光刻

B.氧化

C.刻蚀

D.离子注入

答案：B

解析：光刻是用于图形转移；氧化工艺通过在高温下使硅与氧气反应生成二氧化硅绝缘层；刻蚀是去除材料；离子注入是将杂质引入半导体内部，改变电学性能，所以选B。

二、填空题

1.半导体制造中常用的衬底材料是______，其具有良好的______和______性能。

答案：单晶硅；电学；机械

解析：单晶硅是目前半导体制造最常用的衬底材料，它具有稳定的晶体结构，电学性能如导电性可通过掺杂精确控制，机械性能良好，能承受制造过程中的各种工艺处理。

2.光刻工艺主要包括______、______、______、显影和刻蚀等步骤。

答案：涂胶；曝光；烘烤

解析：光刻首先在晶圆表面涂覆光刻胶，然后进行曝光使光刻胶发生光化学反应，曝光后需要烘烤来稳定光刻胶的性能，之后进行显影去除不需要的光刻胶部分，最后进行刻蚀将图形转移到晶圆上。

3.化学气相沉积（CV