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硅(100)V型槽衬底氮化物材料外延与发光器件的关键技术研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在光电子领域，氮化物半导体材料凭借其直接带隙特性以及宽禁带范围（涵盖紫外到可见光波段），在短波长光电子器件中展现出了卓越的应用价值，如在紫、蓝、绿和白光发光二极管、高密度光学存储用的紫光激光器、紫外光探测器，以及高功率高频电子器件等方面均有广泛应用。然而，高质量氮化物薄膜的生长一直依赖于蓝宝石或碳化硅（SiC）衬底，这两种衬底不仅成本高昂，尺寸也相对较小，严重限制了相关器件的大规模生产和应用拓展。其中，蓝宝石硬度极高且不导电，在器件加工过程中难度较大；SiC衬底则因其本身制备工艺复杂，导致价格居
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