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中关村光电产业协会团体标准
T/ZOIA××××—××××
MEMS器件晶圆级气密封装漏率
测试方法
LeakageratetestingmethodforwaferlevelpackagingofMEMSresonant
devices
2025-××-××发布2025-××-××实施
中关村光电产业协会发布
T/ZOIA××××—××××
目次
目次I
前言1
1范围2
2规范性引用文件2
3术语和定义2
4测试方法3
5测试记录与报告7
参考文献8
I
T/ZOIA××××—××××
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的
规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中关村标准化协会技术委员会提出。
本文件由中关村光电产业协会归口。
本文件起草单位：北京大学
本文件主要起草人：崔健，赵前程
1
T/ZOIA××××—××××
MEMS器件晶圆级气密封装漏率的测试方法
1范围
本标准规定了MEMS器件晶圆级气密封装漏率的测试方法，包括设备、测试环境、测试条件
和测试步骤。
本标准适用于MEMS器件晶圆级气密封装漏率测试。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本
文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
（1）GB/T26111微机电系统（MEMS）技术术语
（2）GB/T2298机械振动、冲击与状态监测词汇
（3）GB/T3163真空技术术语
3术语和定义
GB/T26111、GB/T2298、GB/T3163界定的下列术语和定义适用于本文件
3.1
晶圆级封装waferlevelpackaging
在晶圆划片前完成封装的工艺。
3.2
品质因数（Q）Qfactor
表征共振时的放大特性的量值。
2
T/ZOIA××××—××××
注：Q值等于阻尼比倒数的二分之一。
3.3
真空度degreeofvacuum
表示真空状态下气体的稀薄程度，通常用压力值表示。
4测试方法
4.1测试原理
当MEMS器件晶圆级封装腔体体积不变时，在静态条件下，测量在一定时间内被测器件封装
腔体中真空度的变化值，再通过计算得到封装的漏率。其中封装腔体内压力值由预先标定的MEMS
器件的品质因数进行表征。
4.2测试装置
测试装置分为
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