《铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备》.docxVIP

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  • 2025-06-14 发布于河南
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《铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备》.docx

ICS25.080.60CCSJ57

团体标准

T/ZZB1790—2025代替T/ZZB1790—2020

铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备

SputterequipmentforCu-In-Ga-Sethinfilmsolarcells

2025-07-12实施2025-06-12发布

2025-07-12实施

浙江省质量协会发布

T/ZZB1790—2025

I

目次

前言 II

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4结构与使用环境 1

5基本要求 2

6技术要求 2

7试验方法 3

8检验规则 4

9标志、包装、运输和贮存 5

10质量承诺 5

T/ZZB1790—2025

II

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件代替T/ZZB1790—2020《铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备》,与T/ZZB1790—2020相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:

——更改了术语和定义中GB/T3163(见3,2020版的3);

——增加了对设备能耗指标和智能化设计的基本要求(见5.1.5,5.1.6);

——增加了“镀膜试验”在型式检验中作为必检项目的相关要求(见8.3.4,2020版的8.3.4);

——更改了产品使用说明书的编写标准GB/T9969(见9.1.3,2020版的9.1.3)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利,本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本文件由浙江省质量协会提出并归口。

本文件主要起草单位:嘉兴市嘉安检验检测有限责任公司。

本文件参与起草单位(排名不分先后):浙江省标准化研究院、九郡绿建(嘉兴)科技有限公司、浙江华电器材检测研究院有限公司、海宁市产品质量检验检测所、浙江方堃检测有限公司、浙江上方电子装备有限公司、浙江方正轻纺机械检测中心有限公司、慈溪市长信真空设备厂(普通合伙)。

本文件主要起草人:孙伟、刘亮俊、袁衢龙、韩雷涛、卞栋梁、吴登国、俞铭阳、刘浩乐、卢奕骁、孙思凡、来华杭、周海龙、蔡好、袁海萍、洪东、陈敏、虞跃华、王晨、姚亮。

本文件评审专家组长:胡弘波。

本文件及其所代替文件的历史次版本发布情况为:

——2020年首次发布为T/ZZB1790—2020;

——本次为第一次修订。

T/ZZB1790—2025

1

铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备

1范围

本文件规定了铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备(以下简称“设备”)的术语和定义、结构与使用环境、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存及质量承诺。

本文件适用于铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备的生产及检验。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T3077合金结构钢

GB/T3163真空技术术语

GB/T5226.1—2019机械电气安全机械电气设备第1部分:通用技术条件

GB/T9969工业产品使用说明书总则

GB/T13306标牌

GB/T13384机电产品包装通用技术条件

GB/T17248.3声学机器和设备发射的噪声采用近似环境修正测定工作位置和其他指定位置的发射声压级

GB/T18680液晶显示器用氧化铟锡透明导电玻璃

GB/T43780制造装备智能化通用技术要求

JB/T8945真空溅射镀膜设备

3术语和定义

GB/T3163界定的术语和定义适用于本文件。

4结构与使用环境

4.1结构组成

设备由进片单元、磁控溅射镀膜系统(PVD)、出片单元及电气控制系统组成,结构示意图见图1。

G4

G4G5G6

V4

冷却室缓冲室2出样室

k?

V2

进样机构进样室

G3

预处理室镀膜室

出样机构

缓冲室1

G2

V1

G1

进片单元磁控溅射镀膜系统(PVD)?出片单元?

图1结构示

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