2024-2025学年度自考专业(计算机应用)考前冲刺测试卷附参考答案详解（预热题）.docxVIP

自考专业(计算机应用)考前冲刺测试卷

考试时间：90分钟；命题人：教研组

考生注意：

1、本卷分第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟

2、答卷前，考生务必用0.5毫米黑色签字笔将自己的姓名、班级填写在试卷规定位置上

3、答案必须写在试卷各个题目指定区域内相应的位置，如需改动，先划掉原来的答案，然后再写上新的答案；不准使用涂改液、胶带纸、修正带，不按以上要求作答的答案无效。

第I卷（选择题55分）

一、单选题（10小题，每小题5分，共计50分）

1、（单选题）对EDI信息进行编码时，尽管编码对象有不同的名称或不同的描述，但必须保证一个编码的对象仅赋予一个代码，这种原则称为（）

A.稳定性

B.简明性

C.唯一性

D.可扩充性

正确答案：C

2、（单选题）在标志寄存器中当算术运算结果的最高位发生进位或借位时，下列描述中正确的是（）

A.进位标志位为1

B.奇偶标志位为l

C.辅助进位位为1

D.零标志位为1

正确答案：A

3、（单选题）编号为0，1，…，15的l6个处理器，当互连网络函数为Cube3时，3号处理器连接到的处理器的号数是（）

A.9

B.10

C.11

D.12

正确答案：C

4、（单选题）对于顺序文件的特点，说法正确的是（）

A.不支持随机存取

B.文件不能动态增长

C.有利于文件插入和删除

D.提高了磁盘空间利用率

正确答案：B

5、（单选题）测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下:V1=0V，V2=-5V，V3=-0.3V，则可判断()

A.A.该管为NPN管，材料为硅，1极为集电极

B.该管为NPN管，材料为锗，2极为集电极

C.该管为PNP管，材料为硅，1极为集电极

D.该管为PNP管，材料为锗，2极为集电极

正确答案：D

6、（单选题）关于new运算符的下列描述中，错误的是（）

A.它可以用来动态创建对象和对象数组

B.使用它创建的对象和对象数组可以使用运算符delete删除

C.使用它创建对象时要调用构造函数

D.使用它创建对象数组时必须指定初始值

正确答案：D

7、（单选题）某DRAM的存储容量为256Kx2位，地址分行/列输入，则芯片的外部地址引脚应为

A.2根

B.8根

C.9根

D.18根

正确答案：C

8、（单选题）若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：()。

A.集电极电流减小

B.集电极与发射极电压VCE上升

C.集电极电流增大

正确答案：A

9、（单选题）字长为l6位的分页式存储器中，页面地址页号为6位，页内地址为l0位，则对应的页面数和页内地址数分别为（）

A.321024

B.641024

C.322048

D.642048

正确答案：B

10、（单选题）放大变化缓慢的信号应采用()

A.直接耦合的放大器

B.阻容耦合的放大器

C.变压器耦合的放大器

D.任一放大器

正确答案：A

二、多选题（1小题，每小题5分，共计5分）

1、（多选题）以下属于UML模型描述图的有()

A.用例图

B.类图

C.序列图

D.状态图

E.活动图

正确答案：ABCDE

第Ⅱ卷（非选择题45分）

三、填空题（5小题，每小题4分，共计20分）

1、（填空题）编译时的多态性通过___函数实现。

正确答案：重载

2、（填空题）在Intel处理器中将外部中断分为_____中断和_____中断两类。

正确答案：可屏蔽、不可屏蔽

3、（填空题）C++中有两种继承：单继承和___。

正确答案：多重继承

4、（填空题）已知一棵无向树T有三个3顶点,一个2度顶点,其余的都是1度顶点,则T中有________个1度顶点。

正确答案：5

5、（填空题）软件测试是一个有程序的过程，包括_________、测试执行以及测试结果比较等。

正确答案：测试设计

四、判断题（1小题，每小题5分，共计5分）

1、（判断题）齐纳二极管是一种特殊二极管。

正确答案：

正确

五、计算题（1小题，每小题10分，共计10分）

1、（计算题）在图所示电路中，已知Rb=260kΩ，Re=RL=5.1kΩ，RS=500kΩ，VEE=12V，β=50，

试求：(1)电路的Q点;(2)电压增益Av、输入电阻Ri及输出电阻Ro;(3)若Vs=200mV，求Vo。

正确答案：

六、解答题（1小题，每小题10分，共计10分）

1、（问答题）试说明在计算机系统的层次化结构中，最终用户、应用程序员、系统管理员和系统程序员分别与操作系统、汇编程序、编译程序和应用程序这四个程序的哪