第一节场效应管.pptVIP

3、衬底效应：ANDPNPGSVGSVDSUVUS对EMOS管来说，为了让管子能正常工作，必须保证衬底与源区、漏区之间的PN结反向偏置，衬底必须接在电路的最低电位上。当源极与衬底不能相连接时，就会存在一个负值电压VUS。第30页，共53页，星期日，2025年，2月5日当负值衬底电压VUS衬底中的空间电荷区向底部扩展空间电荷区的负离子数增多由于VGS不变导电沟道中自由电子减少沟道电阻增大ANDPNPGSVGSVDSUVUSID减小第31页，共53页，星期日，2025年，2月5日VGS(V)ID(mA)VUS=0-4V-2V5.5V0VGS(V)ID(mA)VUS=0VUS=-4VVUS=-2V0第32页，共53页，星期日，2025年，2月5日4、P沟道EMOS场效应管电路符号GDUS源极漏极栅极衬底PDNPNGSVGSVDS第33页，共53页，星期日，2025年，2月5日（1）、非饱和区：（2）、饱和区：（3）、截止区：（4）、衬底电压即为正值。第34页，共53页，星期日，2025年，2月5日二、耗尽型MOS场效应管（DMOS）结构示意图NDPNPGSUND漏极U衬底G栅极S源极电路符号N沟道DMOS场效应管第35页，共53页，星期日，2025年，2月5日PDNPNGSPUD漏极U衬底G栅极S源极电路符号P沟道DMOS场效应管第36页，共53页，星期日，2025年，2月5日2、伏安特性：以N沟道DMOS管为例ID/mA-1.5V-0.5V-1VVGS=0.5V0V0VDS=VGS-VGS(th)510-1.8V2015VDS/VVGS=1VID/mA-2-1VGS/V00.51第37页，共53页，星期日，2025年，2月5日第38页，共53页，星期日，2025年，2月5日第1页，共53页，星期日，2025年，2月5日第三章场效应管第三章前言第一节MOS场效应管第二节结型场效应管第三节场效应管应用第2页，共53页，星期日，2025年，2月5日第三章场效应管前言场效应管(FET)是另一种具有正向受控作用的半导体器件，分MOS场效应管(MOSFET)与结型场效应管(JFET)两种类型。MOSFET与JFET工作原理类似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之外仅在于导电沟道形成的原理不同。由于场效应管只有多子参与导电，故常称为单极型器件，相应地，将晶体三极管称为双极型器件。学习本章时，要时刻将声效应管与晶体三极管相对照，这样不仅可以加深对FET工作原理、模型及分析方法的理解，而且还可以找出它们的异同点，便于掌握。第3页，共53页，星期日，2025年，2月5日教学要求：了解MOS场效应管与结型场效应管的工作原理，重点了解场效应管中预夹断的基本概念。熟悉场效应管的数学模型、直流简化电路模型、曲线模型及小信号电路模型，掌握各种模型的特点及应用场合。熟悉放大模式下各种场效应管的外部工作条件。掌握场效应管放大电路分析方法：估算法及小信号等效电路法。能熟练利用估算法分析电路的直流工作点。熟悉场效应管与三极管之间的异同点。本章3.3节根据教学需要，可作为扩展内容。第4页，共53页，星期日，2025年，2月5日场效应管：是另一种具有正向受控作用的半导体器件。类型绝缘栅型：MOS场效应管金属——氧化物——半导体P沟道N沟道耗尽型增强型结型N沟道P沟道N沟道P沟道3.1MOS场效应管第5页，共53页，星期日，2025年，2月5日一、增强型MOS(EMOS)场效应管电路符号GDUS源极漏极栅极衬底第6页，共53页，星期日，2025年，2月5日N沟道EMOS场效应管结构示意图NDPNPGS耗尽层1、工作原理（1）、导电沟道形成原理：当VDS=VGS=0时结构示意图第7页，共53页，星期日，2025年，2月5日当VDS=0，在栅极G与源极S之间外加电压VGS时：NDPNPGSVGS随着VGS的增大电场增强第8页，共53页，星期日，2025年，2