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介质常压CVD
一些最早的CVD工艺是在大气压下进展〔APCVD〕，由于大的反响速率和简洁的CVD系统，特制适用于介质淀积。虽然由硅烷淀积硅〔如本章前面所争论的〕可在大气压下进展，均匀性很差，在低压下，很简洁得到良好的均匀性，所以APCVD－一般用在厚的介质，其淀积速率超过1000A/min，使得这工艺格外吸引人。
图13.9示出一个简洁连续供片的常压CVD反响器。硅片在受热的传送带上从一个硅片盒传送到另一硅片盒。无论硅片在什么位置上其温度可从240到450
℃[10]。气体从硅片上方喷头喷出，氧一硅烷气流比至少3：1，将得到化学的比的SiO2。在没有充分的稀析
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