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Hf基高k栅介质界面调控策略与MOS器件性能优化的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息技术飞速发展的时代，集成电路作为现代电子设备的核心组成部分，其性能的提升对于推动整个科技领域的进步具有至关重要的作用。自20世纪中叶集成电路诞生以来，遵循摩尔定律，其集成度不断提高，器件尺寸持续缩小。这一发展趋势使得电子产品在性能不断提升的同时，功耗得以降低，成本也大幅下降，从而广泛应用于计算机、通信、消费电子等众多领域。

随着集成电路技术节点按比例缩小逐渐走向终结，传统的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）面临着诸多严峻的挑战。当器件尺寸缩小到纳米尺度时，传统的二氧