金属电导理论.pptVIP

第七章金属电导理论;其次，在自由电子论讨论电导问题时使用了一个忽略电子碰撞细节的弛豫时间近似。在这个近似中假定电子在外场中的非平衡分布对于电子碰撞的几率，以及碰撞后电子的分布没有任何影响。尽管这个假定对于简化问题非常有用，但我们可以很容易就看到其中的问题。因为既使是在独立电子近似下，电子的分布对于电子碰撞几率和碰撞后电子的分布都会有至关重要的影响。因为根据泡利不相容原理，被碰撞的电子只可能跃迁到空态上，这就限制了碰撞的发生。此外，碰撞前电子的分布形式也限定了碰撞后电子的可能分布形式，所以具有不同能带结构的不同金属，它们的电阻率会相差很大。;;本章思路：

金属载流子在外电场和温度梯度的驱动下会发生定向运动，但他们同时也受到杂质、缺陷和晶格振动的散射，两种因素相互竞争、最终到达平衡，从而形成稳态的输运现象。我们采用半经典的Boltzmann方程及其弛豫时间近似作为处理固体输运性质的根底。

采用半经典理论框架来处理本质上是量子力学多粒子系统的行为，显然是有局限性的，因而需要更彻底的量子多体理论来处理，但这类理论的具体计算比较复杂，要采用多体Green函数，且只有在少数典型情况下取得了实用的结果，这些结果大体验证了更加直观的上述半经典方法的可靠性，因而在多数场合，我们更乐意使用Boltzmann方程来处理固体输运现象。;7.1分布函数和Boltzmann方程

7.2弛豫时间近似和电导率公式

7.3金属电阻率的微观机制;;分布函数f(r,k,t)的物理意义是，在t时刻，电子的位

置处在r→r+dr的体积元内，电子的状态处在k→k+dk范

围内单位体积的电子数为：;为漂移项，;那么有：;——Boltzmann方程;其中：;;玻尔兹曼方程中的漂移项和碰撞项示意图：图中的点子代表一种自旋的电子，显示了因为漂移和碰撞两种因素恰好平衡的情形。;下面我们讨论一维定态的导电问题时〔比方一根均匀导线内的情形〕，分布函数和位置r无关，第一项为零，又因为：;一个广泛应用的近似方法是弛豫时间近似，碰撞项可以表示为：;;在等温条件下，在均匀??电场中，上式可以写作：;通常采用逐步逼近法求解Boltzmann方程，;分别代入电流密度和热流密度的表达式中，再根据电导率和热导率的定义，可求得;这里虽得出了和自由电子论相似的结果，但意义是不同的。

公式中出现的说明奉献主要来自费米面附近的电子，

影响电导率的主要是费米面附近的形状。因此电导率的表达

式中，有效质量替代了电子真实质量，弛豫时间更准确地表

述为费米面上电子的。

公式中仍然留有电子总浓度n，但这来源于在k空间费

米面上的积分，并不像经典电子论那样意味着所有电子都参

与导电。;上述结果和自由电子论是一致的，只是m*取代了m。

这说明在很多情况下，讨论金属问题使用零级近似——自由电子近似是可以的，只需改用有效质量即可，第五章的公式可以在很多场合继续使用：;金属电阻率的实验观测

二.晶格散射和纯金属电导率温度关系

剩余电阻率

近藤效应〔Kondoeffect〕;一.金属电阻率的实验观测:;与温度无关，称作剩余电阻。与金属中的缺陷和杂质有关。

在缺陷浓度不算大时，

不依赖于缺陷数目，而

不依赖温度，这个经验

性结论被称为Matthiessen

定那么。实验说明：大多数

金属的电阻率在室温下主要

由声子碰撞所支配，液氦温

度〔4K)下，由杂质和缺陷

的散射为主。;更多实验指出，许多纯金属的电阻率在很宽的温度范围

内，可用下面经验公式描述，〔见方俊鑫书7.5节p298〕;在很低的温度，即T0.1TD，可认为公式的积分上限;典型金属Cu的电导率温度关系

取自SolidStateChemistryandPhysics;纯洁Pt电阻率随温度的变化;作为比照，我们给出n型半导体Si的电导率温度关系，

在同样温度区域明显看出其差异是很大的。;二.晶格散射对纯金属电导率温度关系的影响:;

;由于声子的最大能量只有的量级，

所以电子-声子散射引起的电子能量变化不大，因而可以忽略声子的能量。电子与声子碰撞的效果主要是改变了k的方向，这在U过程中尤为突出，不过温度不高时，q值较小，U过程几乎不会发生。;对求平均