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探究电子束流辐照对GaN基LED性能的影响与作用机制
一、引言
1.1研究背景与意义
随着科技的飞速发展，半导体材料在电子器件领域的应用愈发广泛。氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体材料，凭借其独特的物理性质，在光电子和电子器件领域展现出巨大的优势和潜力，受到了学术界和产业界的广泛关注。
GaN基LED具有诸多显著优势，其禁带宽度较宽，能够实现高效的蓝光发射，这使得白光LED的实现成为可能，为照明领域带来了革命性的变革。相较于传统的照明光源，GaN基LED具有节能、环保、寿命长、响应速度快等特点。在节能方面，其能耗仅为传统白炽灯的几分之一，能有效降低能源消耗；环保方面，不含汞
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