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功率二极管物品部2002-06-15

内容提纲一、功率二极管的定义二、我公司使用二极管情况三、几种二极管的主要区别四、功率二极管的主要参数五、快恢复二极管主要参数六、肖特基二极管的主要参数七、二极管各参数之间的关系八、二极管参数对电路的影响九、功率二极管参数的测量十、二极管参数降额十一、功率二极管损耗计算十二、常见失效原因十三、应用注意事项十四、二极管发展方向

定义：额定电流≥1安培，用于整流工作的二极管。01功率二极管在使用时需计算功耗、结温灯参数，需考虑电流、电压、结温的降额。02一，功率二极管定义

我公司使用二极管种类：整流二极管开关二极管肖特基二极管快恢复二极管快速软恢复二极管我公司使用二极管情况

信号二极管：开关二极管：电流≤200mA电压≤200V肖特基二极管：电流≤200mA电压≤40V功率二极管：普通整流二极管：430A/1600V快恢复二极管：2*120A/1400V肖特基二极管：60A/100V

SMA、SMB、SMC插装DO-35、DO-41TO-220、TO-247螺栓封装SOT-227DPAK、D2PAK、D3PAK0102030405封装：表面贴装SOT23

三、几种二极管的主要区别1，整流二极管：正向压降低，恢复时间长，适合低频整流。如1N4007，整流桥。2，信号二极管：速度快，结电容小，适合信号处理。如1N4148、BAV703，快恢复二极管：恢复时间短，恢复电流小，关断速度快。4，快速软恢复二极管：恢复时间短，恢复电流小，恢复特性软。5，肖特基二极管：正向压降小，无存储电荷。适合低压高频整流。

1，反向阻断参数：反向阻断是二极管单向导电的基本特性之一。VR/VRRM/VRSM:反向阻断电压IR:反向阻断漏电流EAS/EAR:雪崩能量01功率二极管的主要参数01

VT0：正向开通电压I2t：正向浪涌电流对持续时间的积分值IFAV：二极管额定正向工作电流rT：正向导通电阻VF：在额定电流下的电压降2，正向导通参数：正向导通是二极管单向导电的另一个特性。IFSM：浪涌电流

TC/TA：二极管的壳温或环境温度。TJ/TJM：二极管PN结的温度，TSTG：存储温度。Rthjc/Rthja/Rthch:热阻Pd/Ptot：在规定条件散热条件下的最大总功耗3，温度参数：4，耗散功率：

瞬态热阻：

1，关断特性：PN结构成的二极管在正向导通时，PN结中存储大量的电荷。当电路使二极管换向时，导通时存储的电荷必须全部被抽出，或被中和掉。电荷被抽出的过程就是形成了反向恢复电流。trr:恢复时间IRM:恢复电流Qrr:恢复电荷S:软度因子五，快恢复二极管的主要参数

Tfr:正向恢复时间VFR:正向恢复电压2，开通特性：

肖特基二极管的主要参数011，静态参数IFAV:额定平均正向电流VF：额定电流及给定温度条件下的正向压降VRRM：额定重复反向阻断电压IR：阻断电压条件下的反向漏电TJM/TSTG：最高工作结温和存储温度Rthjc：热阻02

2，动态参数dv/dt：反向承受的最大电压上升率CJ：肖特基二极管的结电容

1，温度与反向阻断电压：温度升高，阻断电压略有增加，漏电流增大，雪崩能力下降。七，二极管各参数之间的关系

2，温度与二极管的正向电流的关系：温度上升，通过电流能力下降。

4，温度与关断特性温度升高，反向恢复电流增大，恢复时间、恢复电荷变大。

5，di/dt与关断特性

6，di/dt、正向电流与恢复时间

7，di/dt与开通特性

8，肖特基结电容：SCHOTTKY结电容由芯片面积和厚度决定，并与工作电压有关：反压增大，结电容减小。

9，不同型号之间关系：03肖特基结温级别高，压降大；反向耐压级别高，结温级别高。同一系列：反压级别高，压降大0102恢复时间短，压降大

八，二极管参数对电路的影响1，正向恢复特性对电路的影响：二极管开通期间，二极管两端产生较高压降，增加二极管自身损耗。二极管开通期间的恢复电压叠加在开关管上，增加开关管的损耗。

二极管在恢复时间ta期间，完全丧失阻断能力，在tb期间逐渐恢复阻断能力，恢复期间增加开关管（IGBT、MOSFET）功耗，增加二极管本身功耗。

3，恢复期间的瞬时电流尖峰产生电磁干扰（EMI）4，在恢复时间tb段，二极管两端产生过电压，导致开关管误导通或器件损坏。恢复期间二极管两端产生额外电压尖峰：VRM=VR+L*dir/dt12

壹1，电压：在各种条件下测量电压的最大值，使用高频示波器，在宽带下测试。肆4，雪崩能量：选取耐压等于额定值的二极管，测试击穿瞬间的电压和雪崩电流，通过电压和电流来计算雪崩能量。叁3，壳温：使用点温计，选取