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基于单片机的机床切屑废料压块成形系统的硬件结构设计案例

目录

TOC\o1-3\h\u12816基于单片机的机床切屑废料压块成形系统的硬件结构设计案例 1

199281.1STC12C5A60S2单片机 1

312531.1.1复位电路 3

240831.1.3时钟电路 4

4211.2键盘模块 6

192601.3LCD1602显示模块 7

104351.4伺服电机驱动模块 10

125091.5三相伺服电机驱动模块 12

1.1STC12C5A60S2单片机

根据本次课题的要求，查询相关资料，选择STC12C5A60S2单片机作为整个设计系统的控制核心。

STC12C5A60S2系列MCU是宏晶科学技术生产，单时钟机器周期（1t）MCU。它是新一代8051单片机，速度快，功耗低，抗干扰能力强。其命令码与传统的8051完全兼容，但速度快了六到十二倍。内部集成MAX810专用复位电路，2路PWM，用于电动机控制，强干扰场合。它的引脚图如下：

其特点如下：

（1）是一个加强型8051处理器，一个失重/机器周期，命令码完全支持传统8051；

（2）工作电压：1.3V-5.5V；

（3）工作频率范围为0-35MHz；

（4）通用I/O口，可以设置成四种方式，①弱上拉，②准双向口，③推挽，④强上拉。每个I/O口的驱动能力均可达到20mA，但整个芯片不要超过120mA；

（5）共四个16位定时器两个与传统8051兼容的定时器/计数器,16位定时器T0和T1,没有定时器2,但有独立波特率发生器做串行通讯的波特率发生器再加上2路PCA模块可再实现两个16位定时器；

（6）八通道，十位高速ADC，两路PWM并且可以当成D/A使用

图6

VCC：供电电压;

GND：接地;

P1.0RXD(串行输入口)

P1.1TXD(串行输出口)

P1.2INT0(外部中断0)

P1.3INT1(外部中断1)

P1.4T0(记时器0外部输入)

P1.5T1(记时器1外部输入)

P1.6WR(外部数据存储器写选通)

P1.7RD(外部数据存储器读选通)

RST：复位输入。当振荡器复位器件时，要保持RST脚两个机器周期的高平时间;

ALE/PROG：当访问外部存储器时，地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的低位字节。在FLASH编程期间，此引脚用于输入编程脉冲。在平时，ALE端以不变的频率周期输出正脉冲信号，此频率为振荡器频率的1/6。因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。然而要注意的是：每当用作外部数据存储器时，将跳过一个ALE脉冲。如想禁止ALE的输出可在SFR8EH地址上置0。此时，ALE只有在执行MOVX，MOVC指令时ALE才起作用。另外，该引脚被略微拉高。如果微处理器在外部执行状态ALE禁止，置位无效;

PSEN：外部程序存储器的选通信号。在由外部程序存储器取址期间，每个机器周期PSEN两次有效。但在访问内部数据存储器时，这两次有效的PSEN信号将不出现;

EA/VPP：当EA保持低电平时，访问外部ROM;注意加密方式1时，EA将内部锁定为RESET;当EA端保持高电平时，访问内部ROM。在FLASH编程期间，此引脚也用于施加12V编程电源(VPP);

XTAL1：反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入;

XTAL2：来自反向振荡器的输出。

1.1.1复位电路

复位电路有两种实现方式，一种是开机复位，另一种是按键复位。本人所采用的是开机复位。如图所示，选择的电容的大小是10uf、电阻的大小是10k。在5V正常工作的STC12C5A60S2单片机中小于1.5V的电压信号为低电平信号，而大于1.5V的电压信号为高电平信号。根据书上的公式，可以算出电容充电到电源电压的0.7倍，即电容两端电压为1.5V、电阻两端电压为1.5V时，需要的时间约为T=RC=10K*10UF=0.1S。

也就是说在STC12C5A60S2单片机上电启动的0.1S内，电容器两端的电压从0V上升到1.5V，此时10K的电阻两端的电压为从5V下降到1.5V（其中串联电路各处电压之和为总电压），所以RST引脚所接收到的电压是从5V下降到1.5V的过程，也就是高电平到低电平的过程。

单片机RST引脚是高电平有效，即复位；低电平无效，即单片机正常工作。所以在开机0.1S内，单片机系统RST引脚接收到了时间为0.1S左右的高电平信号，所以实现了自动复位。复位电路的电原理图如图所示：

图7

1.1.3时钟电路

CPU的操作需要精确的定时，它是用一个晶体振荡器产生稳定的时钟脉冲来控制的。STC12C5A60S2单片机内有一个由高增益反相放大器所构成的振