《微电子学概论》ch4集成电路制造工艺CMOS工艺.pptxVIP

集成电路制造工艺

——CMOS集成电路制造工艺

1

从原始硅片到封装测试前的关键工艺

2

图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上。

工艺：光刻、刻蚀

3

掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等

工艺：扩散，离子注入，退火

4

薄膜制备：制作各种材料的薄膜

工艺：氧化，化学气相淀积，物理气相淀积

上一次课的主要内容

工艺集成

工艺集成：组合工艺，制备不同类型的集成电路

CMOS反相器

双极工艺双极集成电路

CMOS工艺CMOS集成电路

栅电极：

重掺杂的多晶硅

多晶硅

氧化层

金属

N衬底

P阱

Al

N+

N+

P+

P+

源

源

漏

漏

P+

体

N衬底

P阱

Al

N+

N+

P+

P+

源

源

漏

漏

P+

体

N型(100)衬底的原始硅片

N衬底

P阱(well)

制备阱的原因：需要在同一衬底上制备p和n两种类型MOSFET

P阱CMOS集成电路工艺流程

N衬底

P

形成P阱

初始氧化：生成二氧化硅薄氧化层(氧化层作用)

淀积氮化硅层：离子注入时的掩蔽层

光刻，定义出P阱位置

反应离子刻蚀氮化硅层

P阱离子注入:带氧化层注入

硼注入

N衬底

P阱

N衬底

P阱

推阱

退火驱入：使阱的深度达到所需要求（激活）

有一定氧化

去掉氮化硅、氧化层

隔离

P阱(well)

N型(100)衬底的原始硅片

隔离工艺

MOS晶体管结构:自隔离性

相邻MOS管之间区域（氧化层）上有导线经过时，寄生MOS管可能开启，相邻晶体管之间的隔离被破坏

器件间的泄漏电流，相互干扰甚至导致逻辑状态改变

隔离不完全

MOS集成电路隔离：如何防止寄生晶体管开启

增大场氧化层厚度

提高场氧下面硅层的表面掺杂浓度，提高阀值

N衬底

1

P阱

2

硼注入

3

生长一层薄氧化层

淀积一层氮化硅

光刻场区，有源区被光刻胶保护

反应离子刻蚀氮化硅

场区离子注入：同时也形成沟道阻挡层

热生长厚的场氧化层（激活，半槽氧化隔离）

去掉氮化硅层

4

LOCOS隔离(localoxidation)

5

P阱

N衬底

场氧光刻掩膜版

01

02

03

N衬底

P阱

LOCOS隔离

鸟嘴现象：费面积，存在窄沟效应

NMOS、PMOS结构

NMOS结构

PMOS结构

N型(100)衬底的原始硅片

P阱(well)

隔离

阈值调整注入

可以不用掩膜版

可以用掩膜版

阈值调整注入

N衬底

P阱

磷

阈值调整注入

可以不用掩膜版

直接注入磷，调整PMOS管的阈值电压

NMOS管有一定杂质补偿，与阱注入共同考虑，调整阈值电压

阈值调整注入

N衬底

P阱

阈值调整注入

磷

阈值调整注入：可以用掩膜版

PMOS阈值调整版光刻

注入磷

NMOS阈值调整版光刻

注入硼

去胶

硼

N衬底

P阱

磷

PMOS阀值调整掩膜版

淀积氮化硅层

利用掩膜版，光刻

离子注入区

磷离子注入，调节阀值

去掉氮化硅层

N衬底

P阱

硼

NMOS阀值调整掩膜版

淀积氮化硅层

利用掩膜版，光刻

离子注入区

硼离子注入，调节阀值

去掉氮化硅层

衬底

阱

Al

N+

N+

P+

P+

源

源

漏

漏

P+

体

阈值调整注入

栅氧化层和多晶硅栅

N衬底

P阱

磷

形成栅氧化层和多晶硅栅

去除氧化层

生长栅氧化层，同时热激活阈值注入

淀积多晶硅，注入磷形成掺杂多晶硅？

刻蚀多晶硅栅（反应离子刻蚀）

形成重掺杂，且为N型，电子导电空穴导电

N衬底

P阱

阈值调整注入

栅氧化层和多晶硅栅

NMOS管源漏注入

PMOS管源漏注入

N衬底

P阱

PR

磷

形成NMOS管的源漏区

在光刻胶上刻蚀出NMOS管源漏区掺杂的窗口，利用光刻胶保护PMOS管区域

自对准离子注入磷或砷（需先形成多晶硅栅），形成N管源漏区

去掉光刻胶（Photoresist）

N衬底

P阱

PR

磷

N衬底

P阱

形成PMOS管的源漏区

在光刻胶上刻蚀出PMOS管源漏区掺杂的窗口，利用光刻胶保护NMOS管区域

自对准离子注入硼，形成P管源漏区、P阱引出

去掉光刻胶（Photoresist）

硼

P+

P+

P+

N衬底

P阱

硼

N衬底

P阱

P+

P+

P+

N+

N+

N衬底

P阱

P+

P+

P+

N+

N+

形成自对准多晶硅/硅化物（salicide）：降低寄生电阻

低温淀积氧化层

反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层

淀积难熔金属Ti或Co等

低温退火，形成难溶金属硅化物TiSi2或CoSi

去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co

高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2

N衬底

P阱

P+

P+

P+

N+

N+

形成自对准多晶硅/硅化物（salicide）：降低寄生电阻

低温淀积氧