化学机械研磨後清洗技术简介.docx

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第六卷第一期

化學機械研磨後清洗技術簡介蔡明蒔

國家奈米元件實驗室前言

自1997年開始,半導體製程邁進0.5微米元件線幅以下,幾乎全部半導體製造廠開始採用化學機械研磨技術(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)。此乃由於愈來愈嚴苛的曝光景深要求,對於曝光區內晶圓外表之起伏輪廓必須借助研磨方式才能獲得全域性平坦化(Globalplanarity)。故在多層導線結構製程之IMD介電層平坦化及鎢金屬栓塞(Wplugs)之製作,以CMP取代傳統以乾式蝕刻回蝕法,不但可確保晶圓外表之平坦度且製程簡化,大幅提昇製程良率。除了應用在後段導線之製作,CMP

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