E磁性物理的基础.pptx

磁畴与技术磁化;一、退磁场;退磁因子计算;磁化曲线退磁场校正;退磁能;在铁磁体中，交换作用使晶体自发磁化，磁化强度方向沿着晶体内易磁化轴，这么就使铁磁晶体内交换作用能和磁晶各向异性能都到达极小值。但因晶体有一定大小与形状，整个晶体均匀磁化结果，必定产生磁极，磁极退磁场增加了退磁能(1/2)NIS2。;比如对一个单轴各向异性钴单晶。(a)图是整个晶体均匀磁化，退磁场能最大(假如设Is?103高斯，则退磁能?106尔格/厘米3)。从能量覌点出发，分为两个或四个平行反向自发磁化区域(b),(C)能够大大降低退磁能。;磁畴宽度--D;有450封闭畴时，如图c，即使表面没有磁极，没有退能，但增加各向异性能。上下两端每单位表面积内闭合磁畴体积为D/2，故各向异性能为K1·D/2。;畴壁能--?和畴壁宽度?;求能量极小值条件;居里温度?f与交换积分J关系;对特殊晶格,外斯Weiss详细计算;用统计理论计算居里温度与交换积分J关系;假如用Up+代表Si=1/2时U，而用Up-代表Si=-1/2U，则Si取值1/2几率为;在靠近居里点温度，Hm变得很小，以至MBHmkT，则有;居里温度测试方法：(Arrortplot法);起始磁化率温度关系-霍普金森效应;布洛赫畴壁和湼耳畴壁;布洛赫畴壁：在薄膜厚度为D两面有露出磁极，产生退磁能。畴壁可以看成椭圆截面柱体，长轴为D，短轴为畴壁宽度二分之一?/2。产生退磁能近似等于(单位畴壁面积);右图给出二种畴壁能与厚度关系，交叉点即为畴壁由布洛赫型向涅耳型转化临界厚度。图中;单畴颗粒;反铁磁物质磁畴;三、磁畴覌察;2、磁光方法;3、洛仑兹(Lorentz)电子显微术;4、磁力显微镜MFM;表面形貌图;;磁性样品在磁场增加或反向加磁场都有一些特殊磁化过程，在材料研究和应用中都是极其主要。主要磁性参数有：;样品从退磁状态开始，外加磁场从零一直加到磁化强度到达饱和Is磁化过程。退磁状态是指样品没有宏覌磁化强度，所以磁化曲线是从I-H座标原点O开始。为了使样品处于退磁状态，通常採用零场下，样品从居里温度以上，逐步降温到室温；用交流退磁方法。;普通铁磁体在弱场范围内磁化过程主要是畴壁位移过程。即接近于外??场方向磁畴长大，远离外磁场方向磁畴缩小。理想完美铁磁晶体，它内部磁畴结构只由其外形退磁场作用所决定，在外磁场作用下，只要其内部有效磁场不为零，磁畴壁将被驱动，直到畴结构改组到有效场等于零时才稳定下耒，所以这种理想晶体起始磁化率应为无限大。;实际铁磁晶体内总是存在着晶格缺点、杂貭和某种形式分布内应力。结构不均匀产生对畴壁位移阻力，使起始磁化率降低为有限数值，而且使畴壁位移过程有可逆和不可逆区分。;显然，可逆与不可逆畴壁位移临界场判据为是最大值。;由此可提出两种简化理论模型：;B、参杂理论：假如晶体内包含很多非磁性或弱磁性杂质而内应力改变不大。畴壁位移时，畴壁能改变主要是因为畴壁面积改变。对于1800畴壁就有;由磁场dH所产生磁化强度为;《2》1800畴壁位移过程;B、参杂理论;普通地说，在x=0，±a,±2a……..等处并不都有1800畴壁存在。与前相同，引入充实系数?。设磁畴平均宽度为l，则?=a/l(普通情况下l??，故??1)。单位体积内1800畴壁;5、转动磁化过程-单晶磁化曲线计算;;单畴颗粒反磁化过程(Stoner-Wohlfarth模型);利用sin?和cos?解联立方程，解出sin2?0;;6、趋近饱和定律-多晶磁化曲线;在室温下，得到;以上计算结果，可知假如内应力远小于各向异性K1，能够经过对多晶样品测试得到a2，而求得K1。;7、矫顽力-Hc;缺点上述性质，使得缺点所在之处轻易形成反磁化核或钉扎畴壁中心。缺点愈多反磁化核便愈轻易形成，因而矫顽力愈低。但缺点作为钉扎畴壁中心，缺点愈多，矫顽力愈高。普通来说缺点尺寸大对形核有利，尺寸小对钉扎有利。;;(2)钉扎场决定矫顽力;8、磁能级-(BH)m;1、磁后效;在交变磁场场所;当?变得很大时，损耗因子tan?将变为零。而实际上，甚至在0k时tan?仍为一些非零值。这种损耗与角频率?无关，被称作约旦型磁后效。此时，相当于?1很小,?1t?2情况，可得;磁后效物理机制;B.热涨落后效(thermalfluctuationafter-effect);利用sin?和cos?解联立方程，解出sin2?0;;假如外场H与临界场足够靠近话，即使体积比临界体积?0大颗粒，也有可能发生热激发磁化强度反转。;2、涡流损耗;;3、高频磁导率;