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光電檢測器一、光電檢測器的工作原理光電檢測器是外加反向偏壓的PN結，當入射光作用時，發生受激吸收產生光生電子-空穴對，這些電子-空穴對在耗盡層內建電場作用下形成漂移電流，同時在耗盡層兩側部分電子-空穴對由於擴散運動進入耗盡層，在電場作用下形成擴散電流，這兩部分電流之和為光生電流。光電二極體的工作原理光生電動勢空穴電子擴散NP擴散漂移複合複合漂移光(a)光電效應反偏壓空穴電子P導帶光(b)加反向偏壓後的能帶價帶N耗盡層二、PIN光電檢測器PIN光電檢測器的工作原理和結構PIN光電檢測器的主要特性PIN光電檢測器的一般性能PIN光電檢測器的工作原理PIN是為提高光電轉換效率而在PN結內部設置一層摻雜濃度很低的本征半導體（I層）以擴大耗盡層寬度的光電二極體。PIN的工作原理示意圖P+W光IN+能量PIN光電檢測器的結構P+N+I入射光電極電極E抗反射膜PIN光電檢測器的主要特性
量子效率光譜特性回應時間頻率特性雜訊特性量子效率=光生電子-空穴對數／入射光子數，即回應度——是光生電流和入射光功率的比值雜訊特性雜訊直接影響光接收機的靈敏度。光電二極體雜訊包括信號電流和暗電流產生的散粒雜訊和有負載電阻和後繼放大器輸入阻抗產生的熱雜訊。通常雜訊用均方雜訊電流描述。均方散粒雜訊電流均方熱雜訊電流總均方雜訊電流回應時間——光生電流脈衝前沿由最大幅度的10%上升到90％，或由後沿的90%下降到10%的時間定義為脈衝上升時間和脈衝下降時間。脈衝回應時間為：頻率特性——當光電二極體具有單一時間常數時，截止頻率為：[結論]：減小耗盡層寬度可以減小渡越時間，從而提高截止頻率。，但會降低量子效率。PIN光電檢測器的一般性能PIN光電二極體的一般性能?Si-PINInGaAs-PIN波長回應0.4～1.01～1．6回應度0.4(0.85μm)0.5（1.31μm）暗電流0.1～12～5回應時間2～100.2～1結電容0.5～11～2工作電壓/V－5～－15－5～－15三、雪崩光電檢測器APDAPD的工作原理APD的結構APD的主要特性APD的一般性能APD的工作原理APD是通過在其結構中構造一個強電場區，當光入射到PN結後，光子被吸收產生電子-空穴對，這些電子-空穴對運動進入強電場區後獲得能量做高速運動，與原子晶格產生碰撞電離出新的電子-空穴對，該過程反復多次後使載流子雪崩式倍增。APD的結構N+P+I（P）入射光電極抗反射膜PE強電場區低電場區
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