光电检测器与光接收机课件.pptVIP

(2)BJT前置放大器的雜訊 BJT前置放大器的輸入等效雜訊可以表示為：3.總雜訊運算式 光接收機的輸入等效總雜訊可以表示為：ntot=nPD+nA 在PINPD光接收機中，nPD要遠遠小於nA。6.4.2光接收機的信噪比1.PINPD光接收機的信噪比 根據信噪比定義，PINPD光接收機判決點上的信噪比為：2.APD光接收機的信噪比 同理，可以得到APD光接收機在判決點上的信噪比運算式為：光電檢測器與光接收機6.1光電檢測器6.1.1PIN光電二極體 由於受激輻射僅僅發生在PN結附近，遠離PN結的地方沒有電場存在，因此就決定了PN光電二極體(PNPhotodiode，PNPD)或PN光電檢測器的光電變換效率非常低下及回應速度很慢。1.PIN光電二極體的結構 PIN光電二極體(PINPD)的結構如圖6.1所示。圖6.1PIN光電二極體的結構2.PIN光電二極體的工作原理 當光照射到PIN光電二極體的光敏面上時，會在整個耗盡區（高場區）及耗盡區附近產生受激輻射現象，從而產生電子空穴對。6.1.2雪崩光電二極體 雪崩光電二極體應用光生載流子在其耗盡區(高場區)內的碰撞電離效應而獲得光生電流的雪崩倍增。1.雪崩光電二極體的結構 常用的APD結構包括拉通型APD和保護環型APD，如圖6.2所示。由於要實現電流放大作用需要很高的電場，因此只能在圖中所示的高場區發生雪崩倍增效應。圖6.2APD的結構2.雪崩倍增原理 APD的雪崩倍增原理為：當入射光照射在APD的光敏面上時，由於受激吸收原理會產生電子空穴對(這裏我們稱之為一次電子空穴對)。3.APD的工作原理 當光照射到APD的光敏面上時，由於受激吸收而在器件內產生出一次電子空穴對。6.2光電檢測器的特性指標6.2.1光電檢測器的工作特性1.回應度 在一定波長的光照射下，光電檢測器的平均輸出電流與入射的平均光功率之比稱為回應度(或回應率)。回應度可以表示如下： 式中：Ip為光生電流的平均值(單位：A)；P為平均入射光功率值(單位：W)。2.量子效率 回應度是器件在外部電路中呈現的宏觀靈敏特性，而量子效率是器件在內部呈現的微觀靈敏特性。量子效率定義為通過結區的載流子數與入射的光子數之比，常用符號η表示： 式中：e是電子電荷，其值約為1.6×10-19G；ν為光頻。η與ρ關係可以表示為： 式中：h是普朗克常數，c是光在真空中的速度,λ是光電檢測器的工作波長。代入相應數值後，可以得到： 從式(6-4)中可以看出：在工作波長一定時，η與ρ具有定量的關係。3.回應速度 光電二極體的回應速度是指它的光電轉換速度。4.暗電流 暗電流主要由體內暗電流和表面暗電流組成。5.APD的倍增因數 APD的電流增益，即平均倍增因數M可表示為：式中：Ip為APD倍增後的光生電流；Ip0是未倍增時的原始光生電流。若無倍增時和倍增時的總電流分別為I1和I2，則應扣除當時的暗電流Id1和Id2後才能求出M。6.光電檢測器的雜訊 光電檢測器的雜訊包括量子雜訊、暗電流雜訊和由倍增過程產生的倍增雜訊。(1)PINPD的雜訊 PINPD的總均方雜訊電流可以表述如下： 〈i2〉=2e(Ip+Id)B式中：e為電子電荷量；Ip為光生電流；Id為PINPD的暗電流，B為雜訊帶寬。(2)APD的雜訊 APD的量子雜訊和暗電流雜訊(要考慮倍增作用)與PINPD機理類似，計算方法也基本相同。(3)最佳倍增因數 雖然APD的倍增作用對信號有放大作用，但是由於倍增雜訊的存在也使得總雜訊增加。6.2.2光電檢測器的典型指標及簡易檢測1.光電檢測器的典型指標 表6.1中列出了富士通公司生產的兩種光電檢測器的典型指標。2.光電器件的簡易檢測 與光源器件一樣，在沒有測試條件的情況下，使用人員也可以借助於指針式萬用表對光電檢測器件進行簡易的測試。這種測試方法主要是檢查光電檢測器件PN結的好壞：PN結好不能保證器件具有好的特性，而PN不好的器件其品質絕對不會好。常用光電檢測器件的參考數據如表6.2所示。6.3光接收機6.3.1光解調原理1.非相干檢測方式 常用的非相干檢測方式就是直接功率檢測方式。直接功率檢測方式是通過光電二極體直接將接收的光信號恢復成基本調製信號的過程。2.相干檢測方式 就像普通的無線電收音機一樣，首先接收光信號要與一個光本地振盪器在光混頻器混頻之後，再被光電檢測器變換成一定要求的電信號，如圖6.5所示。圖6.5相