光电式传感器课件.pptVIP

一.電荷耦合器件(CCD)電荷耦合器件（ChargeCoupleDevice，簡稱CCD），它將光敏二極體陣列和讀出移位寄存器集成為一體，構成具有自掃描功能的圖象感測器。是一種金屬氧化物半導體（MOS）積體電路器件，它以電荷作為信號,基本功能是進行光電轉換電荷的存儲和電荷的轉移輸出。廣泛應用於自動控制和自動測量,尤其適用於圖像識別技術。1.MOS光敏單元的結構及原理CCD器件完成對物體的成像，在其內部形成與光像圖形相對應的電荷分佈圖形。這就要求它的基本單元具有存儲電荷的功能，同時還具有電荷轉移輸出功能。CCD器件的基本單元結構是MOS（金屬—氧化物—半導體）結構。即在P型矽襯底上生長一層SiO2(120nm),再在SiO2層上沉積金屬鋁構成MOS結構，它是CCD器件的最小工作單元。A、勢阱的產生MOS的金屬電極加正壓，電極下的P型矽區域內空穴被趕盡，留下帶負電荷的負離子，其中無導電的載流子，形成耗盡層。它是電子的勢阱。勢阱的深淺取決於U的大小。B、電荷的存儲勢阱具有存儲電荷的功能，勢阱內所吸收的光生電子數量與入射到勢阱附近的光強成正比。CCD器件將物體的光像形成對應的電像時，就是CCD器件中上千個相互獨立的MOS單元勢阱中存儲與光像對應的電荷量。2.讀出移位寄存器是電荷圖像的輸出電路研究如何實現勢阱下的電荷從一個MOS元位置轉移到另一個MOS元位置，並依次轉移並傳輸出來。A、電荷的定向轉移當外加電壓一定時，勢阱的深度隨勢阱中的電荷量的增加而線性減少。由此通過控制相鄰MOS電容器柵極電壓高低來調節勢阱的深淺。要求：多個MOS電容緊密排列且勢阱相互溝通。金屬電極上加電壓脈衝嚴格滿足相位要求。B、三相CCD電極的結構MOS上三個相鄰電極，每隔兩個所有電極接在一起。由3個相位差120°時鐘脈衝驅動。C、電荷的輸出在輸出端P型矽襯底上擴散形成輸出二極體，二極體加反壓，在PN結形成耗盡層。輸出柵OG加壓使電荷轉移到二極體的耗盡區，作為二極體的少數載流子形成反向電流輸出。輸出電流的大小與電荷大小成正比，通過負載變為電壓輸出。輸出二極體電流法二.CCD圖像感測器1.線陣電荷耦合器件線陣CCD結構原理圖（1）光照光敏元，各光敏元中的光敏二極體產生光生電子空穴對，電子注入對應的MOS勢阱中，光像變為電像—電荷包。（光積分）（2）積分週期結束，控制信號使轉移柵打開，光生電荷就通過轉移柵耦合到移位寄存器中，通過移位寄存器並行輸出。（3）轉移柵關閉後，光敏單元開始下一行圖像信號積分採集。圖7-12各脈衝的波形和相位2.面陣型CCD圖像感測器面陣型CCD圖像器件的感光單元呈二維矩陣排列，能檢測二維平面圖像。按傳輸和讀出方式可分為行傳輸、幀傳輸和行間傳輸三種。下麵主要介紹前兩種。1）行傳輸（LT）面陣CCD2）幀傳輸（FT）面陣CCD光敏區和存儲區分開，光敏區在積分時間內，產生與光像對應的電荷包，在積分週期結束後，利用時鐘脈衝將整幀信號轉移到讀出寄存器。然後，整幀信號再向下移，進入水準讀出移位寄存器，串行輸出。（一幀對應光敏區MOS的數量）光敏區存儲區讀出寄存器三.CCD圖像感測器的特性參數1.轉移效率當CCD中電荷包從一個勢阱轉移到另一個勢阱時，若Q1為轉移一次後的電荷量，Q0為原始電荷，則轉移效率定義為若轉移損耗定義為則電荷進行N次轉移時，總轉移效率為要求轉移效率必須達到99.99％－99.999%3）光照特性4）溫度特性溫度變化對光敏二極體輸出電流影響較小,但對暗電流的影響卻十分顯著.3.光敏二極體的應用1）光電路燈控制電路2）光強測量電路二.光敏三級管光電三極管比具有相同有效面積的光電二極體的光電流大幾十至幾百倍，但相應速度較二極體差。1.工作原理與結構基極開路，集電極與發射極之間加正電壓。當光照射在集電結上時,在結附近產生電子-空穴對,電子在結電場的作用下，由P區向N區運動，形成基極電流，放大β倍形成集電極電流（光電流）,所以光電三極管有放大作用。2.光敏三極管的基本特性1）光譜特性與伏安特性光譜特性與二極體相同，伏安特性如圖。2）溫度特性與光照特性溫度特性與光敏二極體相同，光照特性如圖3.光敏三極管的應用1.脈衝編碼器2.轉速感測器2.6光電耦合器件一．光電耦合器光電耦合器的發光和接收元件都封裝在一個外殼內,一般有金屬封裝和塑膠封裝兩種。發光元件為