光敏电阻的原理与结构课件.pptVIP

光敏電阻的原理與結構3.1.1光敏電阻的基本原理圖3-1所示為光敏電阻的原理圖與光敏電阻的符號，在均勻的具有光電導效應的半導體材料的兩端加上電極便構成光敏電阻。當光敏電阻的兩端加上適當的偏置電壓Ubb（如圖3-1所示的電路）後，便有電流Ip流過，用檢流計可以檢測到該電流。3.1.2光敏電阻的基本結構在第1章1.5.1節討論光電導效應時我們發現，光敏電阻在微弱輻射作用的情況下光電導靈敏度Sg與光敏電阻兩電極間距離l的平方成反比，參見（1-85）式；在強輻射作用的情況下光電導靈敏度Sg與光敏電阻兩電極間距離l的二分之三次方成反比，參見（1-88）式；都與兩電極間距離l有關。根據光敏電阻的設計原則可以設計出如圖3-2所示的3種基本結構，圖3-2（a）所示光敏面為梳形的結構。3.1.3典型光敏電阻1、CdS光敏電阻CdS光敏電阻是最常見的光敏電阻，它的光譜回應特性最接近人眼光譜光視效率，它在可見光波段範圍內的靈敏度最高，因此，被廣泛地應用於燈光的自動控制，照相機的自動測光等。CdS光敏電阻的峰值回應波長為0.52μm，CdSe光敏電阻為0.72μm，一般調整S和Se的比例，可使Cd（S，Se）光敏電阻的峰值回應波長大致控制在0.52~0.72μm範圍內。CdS光敏電阻的光敏面常為如圖3-2（b）所示的蛇形光敏面結構。2、PbS光敏電阻PbS光敏電阻是近紅外波段最靈敏的光電導器件。PbS光敏電阻在2μm附近的紅外輻射的探測靈敏度很高，因此，常用於火災的探測等領域。PbS光敏電阻的光譜回應和比探測率等特性與工作溫度有關，隨著工作溫度的降低其峰值回應波長和長波長將向長波方向延伸，且比探測率D*增加。例如，室溫下的PbS光敏電阻的光譜回應範圍為1~3.5μm，峰值波長為2.4μm，峰值比探測率D*高達1×1011cm·Hz·W-1。當溫度降低到（195K）時，光譜回應範圍為1~4μm，峰值回應波長移到2.8μm，峰值波長的比探測率D*也增高到2×1011cm·Hz·W-1。3、InSb光敏電阻InSb光敏電阻是3~5μm光譜範圍內的主要探測器件之一。InSb材料不僅適用於製造單元探測器件，也適宜製造陣列紅外探測器件。InSb光敏電阻在室溫下的長波長可達7.5μm，峰值波長在6μm附近，比探測率D*約為1×1011cm·Hz·W-1。當溫度降低到77K（液氮）時，其長波長由7.5μm縮短到5.5μm，峰值波長也將移至5μm，恰為大氣的窗口範圍，峰值比探測率D*升高到2×1011cm·Hz·W-1。4、Hg1-xCdxTe系列光電導探測器件Hg1-xCdxTe系列光電導探測器件是目前所有紅外探測器中性能最優良最有前途的探測器件，尤其是對於4~8μm大氣窗口波段輻射的探測更為重要。Hg1-xCdxTe系列光電導體是由HgTe和CdTe兩種材料的晶體混合製造的，其中x標明Cd元素含量的組分。在製造混合晶體時選用不同Cd的組分x，可以得到不同的禁帶寬度Eg，便可以製造出不同波長回應範圍的Hg1-xCdxTe探測器件。一般組分x的變化範圍為0.18~0.4，長波長的變化範圍為1~30μm。3.2光敏電阻的基本特性3.2.1光電特性光敏電阻為多數電子導電的光電敏感器件，它與其他光電器件的特性的差別表現在它的基本特性參數上。光敏電阻的基本特性參數包含光電導特性、時間回應、光譜回應、伏安特性與雜訊特性等。光敏電阻在黑暗的室溫條件下，由於熱激發產生的載流子使它具有一定的電導，該電導稱為暗電導。當有光照射在光敏電阻上時，它的電導將變大，這時的電導稱為光電導。電導隨光照量變化越大的光敏電阻就越靈敏。這個特性稱為光敏電阻的光電特性。在1.5.1節討論光電導效應時我們看到，光敏電阻在弱輻射和強輻射作用下表現出不同的光電特性（線性與非線性），式（1-84）與（1-87）分別給出了它在弱輻射和強輻射作用下的光電導與輻射通量的關係。實際上，光敏電阻在弱輻射到強輻射的作用下，它的光電特性可用在“恒定電壓”作用下流過光敏電阻的電流Ip與作用到光敏電阻上的光照度E的關係曲線來描述，（1-84）（1-87）如圖2-3所示的特性曲線反應了流過光敏電阻的電流Ip與入射光照度E間的變化關係，由圖可見它是由直線性漸變到非線性的。在恒定電壓的作用下，流過光敏電阻的光電流Ip為