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微电子工艺_哈尔滨工业大学中国大学mooc章节课后测试答案期末考试题库2024年

表征电迁移现象的MTF是指%互连线失效的时间。

答案:50

CMOSIC的电隔离通常是采用pn结隔离。

答案:错误

LOCOS的2）、3）工艺步骤是采取下列哪种工艺方法：【图片】

答案:3)RIE去除Si3N4_2）热氧化生长SiO2

IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象：

答案:在淀积的铝膜中掺入约1%Si；_在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜；

通常采用重掺杂硅与金属接触来实现互连系统的欧姆接触，此时硅的掺杂浓度Natoms/cm3。

答案:10∧19

单晶硅刻蚀一般采用做掩蔽层。（在下面选择一个，填入）光刻胶、金属、二氧化硅、多晶硅

答案:二氧化硅

在SiO2/Si刻蚀过程中等离子体对硅的刻蚀速率必须控制在非常低的程度，否则SiO2被清除的同时硅也大量被侵蚀。

答案:正确

大尺寸硅片上生长的的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。

答案:薄膜厚度

涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为。

答案:预烘

光刻工艺所需要的三要素为：

答案:光源、光刻胶和掩模版

IC芯片的横向结构是通过工艺实现的。（填2个字）

答案:光刻

正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解。

答案:错误

关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率？

答案:采取浸入式光刻方法_使用移相掩膜技术制备的光刻版

下列有关曝光的描述正确的是：

答案:需要进行准确对版后再曝光，才能保证各次光刻的套准精度。_使受光照射区域的光刻胶膜发生化学反应形成潜影；_确定图案的精确形状和尺寸；

光刻工艺是按照下列哪种流程顺序进行操作？

答案:打底膜、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶

铝的蒸发温度是1250℃，这时它的平衡蒸汽压是Pa。（精确到小数点后两位）

答案:1.33

薄膜应力与测量时的温度有关。

答案:正确

溅射与蒸镀比较，下列那种说法正确：

答案:溅射工艺薄膜质量（如粘附性、保形性等）更好_蒸镀工艺的普适性更好

从两电极面积判断射频溅射时，靶放在那个电极上、衬底放在那个电极上？

答案:衬底放在面积大的电极上_靶放在面积小的电极上

为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：

答案:射频溅射

CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散；；表面迁移。（三个字）

答案:再发射

等离子体是物质的一种热平衡存在形态。

答案:错误

关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？

答案:台阶覆盖性较好；_常作为芯片的保护膜；_含H；

poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？

答案:LPCVD

LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：kshg，此时淀积速率的特点为：

答案:淀积速率受气相质量输运控制；

离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。

答案:错误

关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：

答案:靶温升高，临界剂量上升；_注入离子能量越高，临界剂量越低；_注入离子剂量率增大，临界剂量降低。

形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？

答案:可以，实际注硼：QB+QSb

在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩分钟。（只保留整数）

答案:104

一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。

答案:错误

扩散系数在何时不可以看成是常数：

答案:在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；_在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。

扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸，这是效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。

答案:大，横向扩散

热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质引起的。（两个字）

答案:分凝

热氧化速率快慢排序：氧化最快、氧化次之、氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）

答案:水汽、湿氧、干氧

制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。

答案:错误

关于氧化速率下面哪种描述是正确的：

答案:生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律_（111）硅比（100）硅氧化得快_温度升高氧化速率迅速增加

通常掩膜氧化采用的工艺方法为：

答案:干氧-湿氧-干氧

在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？

答案: