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AGM20T09H-W1
●GeneralDescription
d
ProuctSummary
TheAGM20T09H-W1combinesadvancedtrench
MOSFETtechnologywithalowresistancepackage
toprovideextremelylowRDS(ON).
ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID
protectionapplications.
●Features200V7.3mΩ130A
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology
TO-263PinCnfig
ouraon
ti
■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■100%Avalanchetested
■100%DVDStested
●Application
■MB/VGAVcore
nd
■SMPS2SynchronousRectifier
■POLapplication
■BLDCMotordriver
in
eo
geMarknanidOrdringInformat
Packag
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
AGM20T09HAGM20T09H-W1TO-263330mm25mm800
Table1.AbsoluteMaximumRatngis(TA25℃)
SPraVauleUnit
ymbolameter
VDSDrain-SourceVoltage(VS
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