AGMsemi-AGM20T09H-W1 VER2.55宏盛微半导体78.pdf

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AGM20T09H-W1

●GeneralDescription

d

ProuctSummary

TheAGM20T09H-W1combinesadvancedtrench

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

protectionapplications.

●Features200V7.3mΩ130A

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

TO-263PinCnfig

ouraon

ti

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

nd

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

in

eo

geMarknanidOrdringInformat

Packag

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AGM20T09HAGM20T09H-W1TO-263330mm25mm800

Table1.AbsoluteMaximumRatngis(TA25℃)

SPraVauleUnit

ymbolameter

VDSDrain-SourceVoltage(VS

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