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AGMsemi-AGM20T09H-W1 VER2.55宏盛微半导体78.pdf

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    AGM20T09H-W1

    ●GeneralDescription

    d

    ProuctSummary

    TheAGM20T09H-W1combinesadvancedtrench

    MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

    toprovideextremelylowRDS(ON).

    ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

    protectionapplications.

    ●Features200V7.3mΩ130A

    ■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

    TO-263PinCnfig

    ouraon

    ti

    ■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

    ■LowGateChargeforfastswitching

    ■LowThermalresistance

    ■100%Avalanchetested

    ■100%DVDStested

    ●Application

    ■MB/VGAVcore

    nd

    ■SMPS2SynchronousRectifier

    ■POLapplication

    ■BLDCMotordriver

    in

    eo

    geMarknanidOrdringInformat

    Packag

    DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

    AGM20T09HAGM20T09H-W1TO-263330mm25mm800

    Table1.AbsoluteMaximumRatngis(TA25℃)

    SPraVauleUnit

    ymbolameter

    VDSDrain-SourceVoltage(VS

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