AGMsemi-AGM018N10LL VER2.0宏盛微半导体40.pdf

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AGM018N10LL

●GeneralDec

sription

TheAGM018N10LLcombinesadvancedtrenchProductSummary

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

protectionappliat

cions.

100V1.5mΩ290A

●Features

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

fguration

TOLLPinConi

■LowRtmiimize

DS(ON)onconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■10%DDS

0Vtested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

aton

eMrkingandOrderngiInformi

Packaga

atity

DevieMaDevieReelizeTapeidtQun

crkingccPackageSwh

Devie

18N1L18N1Lm

AGM00LAGM00LTOLL330m25mm2000

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