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AGMsemi-AGM25T16H VER2.65宏盛微半导体71.pdf

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    AGM25T16H

    ●GeneralDescription

    Prdu

    octSummary

    TheAGM25T16ATcombinesadvancedtrench

    MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

    toprovideextremelylowRDS(ON).

    ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

    protectionapplications.

    250V16mΩ90A

    ●Features

    ■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

    TO-263PinConfiguration

    ■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

    ■LowGateChargeforfastswitching

    ■LowThermalresistance

    ■100%Avalanchetested

    ■100%DVDStested

    ●Application

    ■MB/VGAVcore

    nd

    ■SMPS2SynchronousRectifier

    ■POLapplication

    ■BLDCMotordriver

    akin

    geMrgadO

    Paanr

    ckdo

    gfraton

    erinInmi

    DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

    AGM25T16HAGM25T16HTO-263330mm25mm800

    Tabe1l.AbsoluteMaximumRatings(TA25℃)

    SymbomerValu

    lParateeUnit

    VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）250V

    VGSGate-SorceV

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