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AGMsemi-AGM035N10H VER2.66宏盛微半导体92.pdf

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    AGM035N10H

    ●GeneralDescription

    TheAGM035N10HcombinesadvancedtrenchProductSummary

    MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

    toprovideextremelylowRDS(ON).

    Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery

    BVDSSRDSONID

    protectionapplications.

    ●Features100V3.5mΩ160A

    ■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

    TO-263PinConfiguration

    ■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

    ■LowGateChargeforfastswitching

    ■LowThermalresistance

    ■100%Avalanchetested

    ■100%DVDStested

    ●Application

    ■MB/VGAVcore

    nd

    ■SMPS2SynchronousRectifier

    ■POLapplication

    ■BLDCMotordriver

    PackageMakingandOrderingInformation

    r

    DvngQuantity

    eiceMrkiDe

    aeviceckageh

    viRelSize

    DecePaTapeidt

    w

    AGM035N10HAGM035N10HTO-263330mm25mm1000

    ols(TA25

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    Table1.AMum℃)

    SymbolParameterValue

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