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Figurecaptions
Fig.1Schematicofsamplespreparationforshearstrengthtest.
Fig.2Backscatteredelectron(BSE)micrographsofcross–sectionofSiC/Ta–5W/SiC
jointbondedat1500ºCfor30min.(a)lowmagnificationimage(b)high
magnificationand(c)thedistributioncurvesofTa,W,SiandCofline–scanningin
(b).
Fig.3(a)BSEmicrographofSiC/Ta–5Winterfacebondedat1700ºCfor30min,(b)
XRDpatternfortheSiC/Ta–5Winterfaceand(c)XRDpatternfortheregionabout10
μmfarfromtheSiC/Ta–5Winterface.
Fig.4BSEmicrographsofSiC/Ta-5Winterfacebondedat1500ºCfor(a)5min,(b)
10minand(c)30min.
Fig.5BSEmicrographsofSiC/Ta-5Winterfacebondedat1600ºCfor(a)5min,(b)
10minand(c)30min.
Fig.6BSEmicrographsofSiC/Ta-5Winterfacebondedat1700ºCfor(a)10minand
(b)30min.
Fig.7Theinterfacial(a)STEMimageafterFIB,(b)EDSline-scanofelements
distribution(c)TEMimageand(d)HR-TEMimageofSiC/Ta-5Winterfacebonded
at1500ºCfor30min,respectively.
Fig.8Thediffractionpatternsforregionsa,b,c,d,e,f,gandhinFig.7(c).
Fig.9(a)Therelationofthethicknessofreactionlayertothesquarerootofholding
timeat1500ºC,1600ºCand1700ºC,(b)thecurvesof1/TdependenceoflnD.
Fig.10Holdingtimedependenceofshearstrengthfordifferentbondingtemperature.
Fig.11Fractographsofthejointsbondedfor30minat(a)1500ºC,(b)1600ºCand
(c)1700ºC.
Fig.1
Fig.2
Fig.3
Fig.4
Fig.5
Fig.6
图字幕图1样品准备剪切强度测试的示意图。
图2SIC/TA5W/SIC的横截面的背部散射电子（BSE）显微照片关节在1500℃下键30分钟。（a）低放大图像（b）高放大倍率和（c）在ta，w，si和c的分布曲线中
的分布曲线
b）。
图3（a）SIC/TA5W界面在1700C键合30分钟的BSE显微照片，（b）
SIC/TA5W接口的XRD模式和该区域的（C）XRD模式约10
M远离SIC/TA5W接口。
图4SIC/TA-5W界面的BSE显微照片
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