AGMsemi-AGM409MNA VER2.66宏盛微半导体100.pdf

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2025-06-27 发布于广东
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AGM409MNA

●GeneralDescription

TheAGM409MNAcombinesadvancedtrenchProductSummary

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

protectionapplications.

6.Ω63A

●Features40V5m

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

PDFN5*6PinConfiguration

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■%nchetested

100Avala

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

akgeakiion

PaMngandOrderngIinformat

zTapewidthQuantiyt

akageReelSie

eiceDevicePc

MkingDv

Devicear

AGM409MNAAGM409MNAPDFN5*633m12mm3000

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA25)

℃

SymbolParametrl

eVaueUnit

VDS-SeV

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