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晶圆级封装(WLP)

口晶圆级封装简介

口晶圆级封装基本工艺

口晶圆级封装的研究进展和发展趋势

晶圆级封装(WaferLevelPackage,WLP是以BGA技术为基

础,是一种经过改进和提高的CSP技术。有人又将WLP称为圆片

级一芯片尺寸封装(WLP-CSP)。圆片级封装技术以圆片为加

工对象,在圆片上同时对众多芯片进行封装、老化、测试,最后

切割成单个器件,可以直接贴装到基板或印刷电路板上。它可以

使封装尺寸减小至IC芯片的尺寸,生产成本大幅度下降

口封装加工效率很高,它以圆片形式的批量生产工艺进行制造

口具有倒装芯片的优点,即轻、薄、短、小

口圆片级封装生产设备费用低,可利用圆片的制造设备,无须投资另建

新的封装生产线;

口圆片级封装的芯片设计和封装设计可以统一考虑、并同时进行,这将

提高设计效率,减少设计费用

口圆片级封装从芯片制造、封装到产品发往用户的整个过程中,大大减

少中间环节,缩短生产周期很多,导致成本的降低

口圆片级封装的成本与每个圆片上的芯片数量密切相关,圆片上的芯片

数越多,圆片级封装的成本也越低。圆片级封装是尺寸最小的低成本

封装。

WP封装的优势

圆片级封装技术的优势使其

出现就受到极大的关注并迅速

获得巨大的发展和广泛的应用

在移动电话等便携式产品中,已

普遍采用圆片级封装型的

EPROM、IPD(集成无源器件)、

模拟芯片等器件。圆片级封装技

术已广泛用于闪速存储器

EEPROM、高速DRAM

SRAM、LCD驱动器、射频器

件、逻辑器件、电源/电池管理

器件和模拟器件稳压器、温度

传感器、控制器、运算放大器、

功率放大器)等领域

已钝化圆片

涂敗BCB(或PI

薄膜再分布技术

光刻新、老焊区

的焊料凸点呈面阵列布局,该工艺BNc

射UBM(

种典型的再分布工艺,最终形成

使新、老焊区布线相连

中,采用BCB/P作为再分布的介质

次涂数BCB:或PI)

层,cu作为再分布连线金属,采用

溅射法淀积凸点底部金属层

光刻新焊区窗口

(UBM),丝网印刷法淀积焊膏并电〈成印)料(

回流。

再流,形成焊料球

WLP完成

WLP测试、贴装、打印等

图」型的WL-CSP工艺流程

Ballplace柏球

WLPIncoming封装入料

A焊区

钝化层

芯片

Istpolymerlayer第一层聚合物溥膜

UBM球下金属层

RDL重布线层

2ndpolymerlayer第二层聚合物薄膜

圆片级封装删工艺流程图

口重布线层(RDL)的目的是对芯片的铝焊区

位萱进行重新布烏,使新焊区满足对焊料球

最小间距的要求,并使新焊区按照阵列排布。

口常见的RDL材料是电镀铜(platedCu)辅

底的钛、铜溅射层(SputteredTi/Cu)。

①0-的靶

重布线金属层

/2起

RDL对焊区重新分配布局

凸点制作技术

ITEGTENEILPRINTING

numderbumpmntatlizanon

凸点制作是圆片级封装工艺过

程的关键工序它是在晶圆片的

压焊区铝电极上形成凸点。圆片m

2多olderpastastencilp

级封装凸点制作工艺常用的方法

有多种,每种方法都各有其优缺

点,适用于不同的工艺要求。要

使圆片级封装技术得到更广泛的

应用,选择合适的凸点制作工艺

极为重要。在晶圆凸点制作中,

金属沉积占到全部成本的50%以

上。晶圆凸点制作中最为常见的

31Relowandcleaning

金属沉积步骤是凸点下金属化层

(UBM)的沉积和凸点本身的

沉积,一般通过电镀工艺实现

凸点制备工艺需给凸点屉金厦(UBM》