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晶圆级封装(硎P)
口WLP简介
口WLP基本工艺
口WLP的研究进展和发展趋势
晶圆级封装(WaferLevelPackage,WLP)以BGA技术为基础,
是一种经过改进和提高的CSP。有人又将WLP称为圆片级—芯片
尺寸封装(WLP-CSP)。圆片级封装技术以圆片为加工对象,
在圆片上同时对众多芯片进行封装、老化、测试,最后切割成单
个器件,可以直接贴装到基板或印刷电路板上。它使封装尺寸减
小至C芯片的尺寸,生产成本大幅度下降
口封装加工效率高,它以圆片形式的批量生产工艺进行制造
口具有倒装芯片封装的优点,即轻、薄、短、小;
口圆片级封装生产设施费用低,可充分利用圆片的制造设备,无须投资
另建封装生产线
口圆片级封装的芯片设计和封装设计可以统一考虑、同时进行,这将提
高设计效率,减少设计费用
口圆片级封装从芯片制造、封装到产品发往用户的整个过程中,中间环
节大大减少,周期缩短很多,这必将导致成本的降低
口圆片级封装的成本与每个固片上的芯片数量密切相关,圆片上的芯片
数越多,圆片级封装的成本也越低。圆片级封装是尺寸最小的低成本
封装。
圆片级封装的优势
圆片级封装技术的优势使其
出现就受到极大的关注并迅速
获得巨大的发展和广泛的应用。
在移动电话等便携式产品中,已
普遍采用圆片级封装型的
EPROM、IPD(集成无源器件)、
模拟芯片等器件。圆片级封装技
术已广泛用于闪速存储器、
EEPROM、高速DRAM
SRAM、LCD驱动器、射频器
件、逻辑器件、电源/电池管理
器件和模拟器件(稳压器、温度
传感器、控制器、运算放大器
功率放大器)等领域
已钝化圆片
涂敷BCB(PI)
薄膜再分布技术
光刻新、老焊区
溅射UBM(如TiN-Cu
种典型的再分布工艺,最终形成
的焊料凸点呈面阵列布局,该工艺
刻UBM,使新、老焊区布线相连
中,采用BCB/P作为再分布的介质
二次涂数BCB(或PI)
层,Cu作为再分布连线金属,采用
溅射法淀积凸点底部金属层
光刻新焊区窗口
(UBM),丝网印刷法淀积焊膏并电《成即)料(膏习
回流
再流,形成焊料球
WLP完成
WLP测试、贴装、打印等
图1型的WL-CSP工艺流程
Ballplace植球
WLPIncoming封装入料
A焊区
钝化层
芯片
UBM球下金属层
Istpolymerlayer第一层聚合物溥膜
RDL重布线层
2ndpolymerlayer第二层聚合物薄膜
圆片级封装删工艺流程图
口涂布第一层聚合物薄膜(PolymerLayer),以加强
芯片的钝化层(Passivation),起到应力缓冲的作
用。目前最常用的聚合物溥膜是光敏性聚酰亚胺
(Photo-sensitivePolyimide),简称PI,是一种
负性胶
口早期的WLP选用BCB(Benzocyclobutene苯并环
丁烯)作为重布线的聚合物薄膜,但受制于低机械性
能(低断裂伸长率和拉伸强度)和高工艺成本(需
要打底粘合层adhesionpromoter),促使材料商
开发PI和PBO(Polybenzoxazole,聚苯并嗯唑)
口重布线层(RDL)的目的是对芯片的铝焊区
布局,使新焊区满足对焊料球
最小间距的要求,并使新焊区按照阵列排布
口常见的RDL材料是电镀铜(platedCu)辅
底的钛、铜溅射层(SputteredTi/Cu)。
人①0-的靶
重布线金属层
000
A区
20k
RDL对焊区重新分配布局
口涂布第二层Polymer,使圆片表面平坦化并保护RDL
层。第二层Polymer经过光刻后开出新焊区的位置
口最后一道金属层是UBM(UnderBump
Metalization,球下金属层),采用和RDL一样的工
艺流程制作。
口植球。顺应无铅化环保的要求,目前应用在MLP的
焊料球都是锡银铜合金。焊料球的直径一般为
25oμm。为了保证焊膏和焊料球都准确定位在对应
的UBM上,就要使用掩模板。焊料球通过掩模板的
开孔被放置于UBM上,最后将植球后的硅片推入回
流炉中回流,焊料球经回流融化与UBM形成良好的
浸润结合。
LPRINTI
凸点制作技术
nummerbumpmetalization
凸点制作是圆片级封装工艺过
程的关键工序它是在晶圆片的
压焊区铝电极上形成凸点。圆片
asolderpastestencilprinting
级封装凸点制作工艺常用的方法
有多种,每种方法都各有其优缶
点,适用于不同的工艺要求。要
使圆片级封装技术得到更广泛的
应用选择合适的凸点制作工艺
极为重要。在晶圆凸点制作中,
金属沉积占到全部成本的50%以
上。晶圆凸点制作中最为常见的
31Reflowandcleaning
金属
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