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2025年通信电子计算机技能考试-集成电路制造工艺员笔试考试历年典型考题及考点含含答案

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第1卷

一.参考题库(共100题)

1.薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（）。

A、形成晶核

B、晶粒自旋

C、晶粒凝结

D、缝道填补

2.试简述表面安装技术的发展简史是什么？

3.请总结常用导线和绝缘材料的类型、用途及导线色别的习惯用法。

4.下列可作为磷扩散源的是（）。

A、磷钙玻璃

B、三氯氧磷

C、三氯化磷

D、磷烷

E、掺磷二氧化硅乳胶源

5.在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

A、1050～1200℃

B、900～1050℃

C、1100～1250℃

D、1200～1350℃

6.下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。

A、硅土

B、石英

C、磷石英

D、玻璃

E、水晶

7.晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

A、n型掺杂区

B、P型掺杂区

C、栅氧化层

D、场氧化层

8.在保证贴片质量的前提下，贴片应该考虑哪些因素？

9.固化贴片胶有几种方法？

10.买来的新树脂往往是Na型或Cl型，新树脂使用前必须分别用酸（阳树脂），碱（阴树脂）浸泡约（）个小时，把Na型或Cl型转换成H型或OH型。

A、3

B、4

C、5

D、6

11.在VLSI工艺中，常用的前烘方法是（）。

A、热空气对流法

B、真空热平板传导法

C、红外线辐射法

D、射频感应加热法

12.功率器件典型的安装方式有哪些？

13.继电器如何分类？选用电磁式继电器应考虑的主要参数是哪些？

14.在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

A、均匀性

B、表面平整度

C、自由应力

D、纯净度

E、电容

15.危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。

A、2族金属

B、碱金属

C、合金金属

D、稀有金属

16.按曝光的光源分类，曝光可以分为（）。

A、光学曝光

B、离子束曝光

C、接近式曝光

D、电子束曝光

E、投影式曝光

17.树脂的外形为（）的球状颗粒。

A、淡黄色或褐色

B、黑色或棕色

C、淡红色或褐色

D、淡蓝色或棕色

18.装卸表面安装元器件，一般需要哪些专用工具？

19.沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。

A、功能

B、成品率

C、物理性能

D、电学性能

E、外观

20.干簧继电器和电磁式继电器相比有哪些特点？

21.扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

A、内部的杂质分布

B、表面的杂质分布

C、整个晶体的杂质分布

D、内部的导电类型

E、表面的导电类型

22.下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。

A、烘烤的目的是除去光刻胶中的水分

B、烘烤可以减轻曝光中的驻波效应

C、烘烤的温度一般在300℃左右

D、烘烤的时间越长越好

23.溅射的方法非常多其中包括（）。

A、直流溅射

B、交流溅射

C、反应溅射

D、二级溅射

E、三级溅射

24.干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。

A、生长出的二氧化硅中引入很多可动离子