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T_CASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法.docx

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    ICS31.080CCSL40/49

    团体标准

    T/CASAS046—2024

    碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

    （SiCMOSFET）动态反偏（DRB）

    试验方法

    Dynamicreversebias（DRB）testmethodforsiliconcarbidemetal-oxide

    semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET）

    2024-11-19发布

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