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基于量子元胞自动机的同或门：原理、分析与创新设计

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对集成电路性能的要求日益提升。长期以来，互补金属氧化物半导体（CMOS）技术作为集成电路的主流技术，不断推动着电子设备的小型化、高性能化发展。然而，当CMOS技术持续向更小的尺度发展时，摩尔定律已逐渐走向物理极限，面临着诸多严峻的挑战。在物理层面，CMOS器件尺寸的不断缩小引发了短沟道效应、量子隧穿效应等问题。短沟道效应使得器件的阈值电压难以精确控制，导致漏电流增加，进而影响器件的性能和稳定性；量子隧穿效应则会使电子在不需要跨越能量势垒的情况下直接穿过，这不仅增加了功耗，还降低了