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模拟电子技术基础（西安交大）中国大学MOOC慕课 章节测验期末考试答案.pdfVIP

模拟电子技术基础（西安交大）中国大学MOOC慕课 章节测验期末考试答案.pdf

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    模拟电子技术基础（西安交大）

    中国大学MOOC慕课章节测验期末考试答案

    第章半导体二极管及其应用自测题

    1

    1

    单选(2分)

    本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是

    ​

    A.无关

    B.大于

    C.小于

    D.等于

    正确答案：D

    2

    单选(2分)

    在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于。

    A.压力

    B.材料

    C.掺杂浓度

    D.温度

    正确答案：C

    3

    单选(2分)

    在掺杂半导体中，少子的浓度受的影响很大。

    A.压力

    B.掺杂工艺

    C.温度

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