自动检测与转换技术第七章.pptVIP

当温度由T变为T+ΔT时，则RL上的电压变为式中α—霍尔电势的温度系数；β—霍尔元件输出电阻的温度系数。要使UL不受温度变化的影响，即ΔUL＝0，由上两式可知，必须对上式进行整理可得**第31页，共46页，星期日，2025年，2月5日对于一个确定的霍尔元件，可以方便地获得α、β和R0的值，因此只要使负载电阻RL满足上式，就可在输出回路实现对温度误差的补偿了。虽然RL通常是放大器的输入电阻或表头内阻，其值是一定的，但可通过串、并联电阻来调整RL的值。**第32页，共46页，星期日，2025年，2月5日（三）采用热敏元件对于由温度系数较大的半导体材料（如锑化铟）制成的霍尔元件，常采用右图所示的温度补偿电路，图中Rt是热敏元件(热电阻或热敏电阻)。**第33页，共46页，星期日，2025年，2月5日自动检测与转换技术第七章**第1页，共46页，星期日，2025年，2月5日概述：霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器，得到广泛的应用。可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。特点：霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高，耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。第一节霍尔元件的基本工作原理**第2页，共46页，星期日，2025年，2月5日霍尔效应原理图**第3页，共46页，星期日，2025年，2月5日霍尔元件金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。（左手定则判断洛伦兹力方向即自由电子偏转方向）**第4页，共46页，星期日，2025年，2月5日设图中的材料是Ｎ型半导体，导电的载流子是电子。在ｚ轴方向的磁场作用下，电子将受到一个沿ｙ轴负方向力的作用，这个力就是洛仑兹力。它的大小为：FL=evBzxyIADBCBlLdUHA、B-霍尔电极C、D-控制电极FLFLBI**第5页，共46页，星期日，2025年，2月5日电荷的聚积必将产生静电场，即为霍尔电场，该静电场对电子的作用力为FE与洛仑兹力FL方向相反，将阻止电子继续偏转，其大小为式中EH为霍尔电场，e为电子电量，UH为霍尔电势，l为霍尔元件宽度。当FL=FE时，电子的积累达到动平衡，即所以IADBCBlLdUHA、B-霍尔电极C、D-控制电极FEFL*第6页，共46页，星期日，2025年，2月5日设流过霍尔元件的电流为I时，式中ld为与电流方向垂直的截面积，n为单位体积内自由电子数(载流子浓度)。则IADBCBlLdUHA、B-霍尔电极C、D-控制电极FLFE*第7页，共46页，星期日，2025年，2月5日令RH则被定义为霍尔传感器的霍尔系数。由于金属导体内的载流子浓度大于半导体内的载流子浓度，所以，半导体霍尔系数大于导体。霍尔系数及灵敏度则**第8页，共46页，星期日，2025年，2月5日KH为霍尔元件的灵敏度。由上述讨论可知，霍尔元件的灵敏度不仅与元件材料的霍尔系数有关，还与霍尔元件的几何尺寸有关。一般要求霍尔元件灵敏度越大越好，霍尔元件灵敏度的公式可知，霍尔元件的厚度d与KH成反比。令则**第9页，共46页，星期日，2025年，2月5日通过以上分析可知：1）霍尔电压UH与材料的性质有关n愈大，KH愈小，霍尔灵敏度愈低；n愈小，KH愈大，但若n太小，需施加极高的电压才能产生很小的电流。因此霍尔元件一般采用N型半导体材料**第10页，共46页，星期日，2025年，2月5日2）霍尔电压UH与元件的尺寸有关。d愈小，KH愈大，霍尔灵敏度愈高，所以霍尔元件的厚度都比较薄，但d太小，会使元件的输入、输出电阻增加。霍尔电压UH与控制电流及磁场强度成正比，当磁场改变方向时，也改变方向。**第11页，共46页，星期日，2025年，2月5日若磁场B和霍尔元件平面的法线成一角度θ，则作用于霍尔元件的有效磁感应强度为Bcosθ，因此UH=KHIBcosθIADBCBlLdUHA、B-霍尔电极C、D-