《微电子学概论》-半导体物理学-半导体及其基本特性.pptxVIP

半导体物理学;

;;微电子学研究领域;固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体;;

;半导体的纯度和结构

;晶体结构;晶体结构;金刚石晶体结构;半导体有:元素半导体如Si、Ge

;半导体有:化合物半导体如GaAs、InP、ZnS;原子的能级;+14;原子的能级的分裂;原子的能级的分裂;Si的能带（价带、导带和带隙〕;价带：0K条件下被电子填充的能量的能带

导带：0K条件下未被电子填充的能量的能带

带隙：导带底与价带顶之间的能量差;自由电子的运动;半导体中电子的运动;固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体;半导体、绝缘体和导体;半导体的能带;半导体中E（K）与K的关系;自由电子的能量;半导体中电子的平均速度;自由电子的速度;半导体中电子的加速度;半导体中电子的加速度;有效质量的意义;空穴;

;与理想情况的偏离;与理想情况的偏离的影响;与理想情况的偏离的原因;间隙式杂质、替位式杂质;间隙式杂质、替位式杂质;;;;;;;;;;;本征半导体载流子浓度;本征载流子浓度;半导体中的电子状态

半导体中杂质和缺陷能级

半导体中载流子的统计分布

半导体的导电性

非平衡载流子

pn结

金属和半导体的接触

半导体表面与MIS结构;;欧姆定律;欧姆定律;漂移电流;漂移速度;半导体的电导率和迁移率;半导体的电导率和迁移率;热运动;热运动;散射的原因;电离杂质的散射;N型半导体

P型半导体

本征半导体;电阻率与掺杂的关系;电阻率与温度的关系;

;平衡载流子;由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子，也称为非平衡载流子;平衡载流子满足费米－狄拉克统计分布;过剩载流子和电中性;小注入条件;非平衡载流子寿命;复合;

;PN结杂质分布;PN结杂质分布;理想二极管方程;理想二极管方程;定量方程;准中性区的载流子运动情况;;;耗尽层边界(续);准中性区载流子浓度;理想二极管方程;理想二极管方程(1);;电子电流;PN结电流;PN结电流与温度的关系;与理想情况的偏差;空间电荷区的产生与复合;空间电荷区的产生与复合-1;VA?Vbi时的大电流现象;VA?Vbi时的大电流现象-1;VA?Vbi时的大电流现象-2;VA?Vbi时的大电流现象-3;反向击穿;雪崩倍增;齐纳过程;PN结二极管的等效电路;反向偏置结电容;反向偏置结电容-1;反向偏置结电容-2;参数提取和杂质分布;扩散电容;扩散电容-1;扩散电容-2;练习;

;金属和半导体的接触;金属和半导体的接触;整流理论;扩散理论;肖特基势垒二极管与二极管的比较;欧姆接触;

;MIS结构;能带图;能带图-1;MIS结构;积累;耗尽;耗尽-1;反型;反型-1;外加偏置;Qs;MIS结构的基本公式;MOS结构的基本公式-1;平带;FlatBandVoltage;MIS电容;MIS电容;MIS电容-2;MIS电容-3;实验结果;深耗尽