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第45卷第2期光电子技术Vol.45No.2

2025年6月OPTOELECTRONICTECHNOLOGYJun.2025

DOI：10.12450/j.gdzjs.202502012

研究与试制

TFT‐LCD边缘亮点异常分析和改善设计

*

陈建华

（厦门天马微电子有限公司，福建厦门361000）

摘要：研究低温多晶硅5.56代线生产的产品边缘亮点不良问题。TFT‐LCD边缘亮点不

良率长期居高不下，需针对性改善，通过手动探针/透射电子显微镜/聚焦离子束等分析工具，确认

异常为静电击伤导致氮化硅/氧化硅膜层击穿，引发栅极和漏极微短路形成亮点。通过转向验证，

锁定氮化硅/氧化硅/氮化硅膜层静电击伤异常，并利用六西格玛工具和Minitab统计软件的一般

线性模型进行因子分析，发现异常与风刀及减压干燥系统高度相关。最终通过调整离子风扇角度

与方向降低静电量，有效改善产品良率。结合异常规律和设计差异分析，发现现有栅极驱动时序

电路设计易引发尖端放电，提出优化设计（如栅极末端分叉天线结构），提升产品抗静电击伤能力，

降低产品静电击伤亮点不良率。

关键词：边缘亮点；尖端放电；六西格玛；静电击伤

中图分类号:TN873+.93；TB497文献标志码:A文章编号:1005‐488X(2025)02‐0159‐05

AnalysisandDesignImprovementofEdgeBrightSpot

AnomalyinTFT-LCD

CHENJianhua*

(XiamenTianmaMicroelectronicsCo.,Ltd.,XiamenFujian361000,CHN)

Abstract：Theedgebrightspotissueofproductproducedinlow-temperaturepolysilicon

（LTPS）5.56linewasstudied.ThehighdefectrateofTFT-LCDedgebrightspotsrequiredurgent

improvement.Throughanalyticaltools，suchasmanualprobestation，transmissionelectronmicro‐

scope，focusedionbeam，therootcausewasidentifiedaselectrostaticdischarge（ESD）-induced

breakdownoftheSiN/SiOfilmlayer，resultinginmicro-shortcircuitsbetweenthega