模拟电路二极管及其电路.pptVIP

三、PN结V-I特性的表达式理论分析证明，流过PN结的电流iD与外加电压vD之间的关系为(3-2-3)?式中，IS为反向饱和电流，其大小与PN结的材料、制作工艺、温度等有关；VT=kT/q，称为温度的电压当量或热电压。在T=300K(室温)时，VT=26mV。这是一个今后常用的参数。图3–11PN结的伏安特性第26页，共77页，星期日，2025年，2月5日由式(3-2-3)可知，加正向电压时，VD只要大于VT几倍以上，iD≈IseVD/VT，即iD随VD呈指数规律变化；加反向电压时，|VD|只要大于VT几倍以上，则iD≈–IS(负号表示与正向参考电流方向相反)。由式(3-2-3)可画出PN结的伏安特性曲线，图中还画出了反向电压大到一定值时，反向电流突然增大的情况。图3–11PN结的伏安特性(3-2-3)第27页，共77页，星期日，2025年，2月5日3.2.3PN结的击穿特性由图3–11看出，当反向电压超过VBR后稍有增加时，反向电流会急剧增大，这种现象称为PN结击穿，并定义VBR为PN结的击穿电压。PN结发生反向击穿的机理可以分为两种。图3–11PN结的伏安特性第28页，共77页，星期日，2025年，2月5日一、雪崩击穿在轻掺杂的PN结中，当外加反向电压时，耗尽区较宽，少子漂移通过耗尽区时被加速，动能增大。当反向电压大到一定值时，在耗尽区内被加速而获得高能的少子，会与中性原子的价电子相碰撞，将其撞出共价键，产生电子、空穴对。新产生的电子、空穴被强电场加速后，又会撞出新的电子、空穴对。碰撞电离倍增效应第29页，共77页，星期日，2025年，2月5日二、齐纳击穿在重掺杂的PN结中，耗尽区很窄，所以不大的反向电压就能在耗尽区内形成很强的电场。当反向电压大到一定值时，强电场足以将耗尽区内中性原子的价电子直接拉出共价键，产生大量电子、空穴对，使反向电流急剧增大。这种击穿称为齐纳击穿或场致击穿。反向击穿过程为电击穿，过程可逆。热击穿过程不可逆。第30页，共77页，星期日，2025年，2月5日§3.3半导体二极管3.3.1基本结构PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。引线外壳线触丝线基片点接触型PN结面接触型PN二极管的电路符号：第31页，共77页，星期日，2025年，2月5日第32页，共77页，星期日，2025年，2月5日3.3.2伏安特性VI死区电压硅管0.6V,锗管0.2V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压VBR第33页，共77页，星期日，2025年，2月5日3.3.3主要参数1.最大整流电流IF二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.反向击穿电压VBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般是VBR的一半。第34页，共77页，星期日，2025年，2月5日3.反向电流IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。第35页，共77页，星期日，2025年，2月5日3.3.4二极管的等效电路1）微变电阻rDiDvDIDVDQ?iD?vDrD是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比：显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。第36页，共77页，星期日，2025年，2月5日根据理论分析,二极管的电流与端电压VD存在如下关系:第37页，共77页，星期日，2025年，2月5日2）二极管的极间电容二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。扩散电容：