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半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种光刻技术可实现最小线宽？

A.深紫外光刻（DUV，193nm）

B.极紫外光刻（EUV，13.5nm）

C.电子束直写光刻（EBL）

D.离子束光刻（IBL）

答案：B

解析：EUV波长最短（13.5nm），根据瑞利分辨率公式R=k1×λ/NA，波长λ越小，分辨率R越高。当前EUV已实现5nm及以下制程，而DUV通过浸没式技术（193nm+水介质NA≈1.35）极限约为28nm，EBL和IBL虽分辨率高但效率低，仅用于掩模制造或小批量生产。

2.等离子体刻蚀中，实现各向异性刻蚀的关键因素是？

A.高离子轰击能量

B.高自由基浓度

C.低反应室压力

D.高刻蚀选择比

答案：A

解析：各向异性刻蚀要求垂直方向刻蚀速率远大于横向（侧向），需离子从垂直方向轰击表面，通过物理溅射（高能量离子）抑制侧向反应。低压力（10mTorr）可减少离子与气体分子碰撞，保持离子方向性；自由基（中性粒子）易扩散，会导致侧向刻蚀（各向同性）。选择比是刻蚀材料与掩模/底层材料的速率比，与方向性无直接关联。

3.化学气相沉积（CVD）中，台阶覆盖（StepCoverage）最佳的工艺是？

A.低压CVD（LPCVD）

B.等离子体增强CVD（PECVD）

C.原子层沉积（ALD）

D.热丝CVD（HWCVD）

答案：C

解析：ALD通过表面自限制反应，每次循环仅沉积单原子层，可在高深宽比（如100:1）结构表面实现100%保形覆盖（ConformalCoating）。LPCVD依赖气相质量传输，在深孔底部沉积速率降低；PECVD因离子轰击可能导致顶部沉积更快（过覆盖）；HWCVD虽温度低，但仍受前驱体扩散限制，台阶覆盖不如ALD。

4.离子注入后进行快速热退火（RTA）的主要目的是？

A.去除表面氧化层

B.激活掺杂原子并修复晶格损伤

C.提高薄膜致密性

D.降低金属互连电阻

答案：B

解析：离子注入会导致晶格原子位移（非晶化），且掺杂原子多处于间隙位置未激活（无导电能力）。RTA通过短时间（几秒到几分钟）高温（900-1100℃）使掺杂原子扩散至晶格替代位置（激活），同时通过固相外延（SPE）修复晶格损伤。其他选项中，去除氧化层需湿法清洗；提高薄膜致密性是CVD后处理；降低互连电阻需优化金属沉积工艺。

5.硅片清洗工艺中，去除金属杂质（如Fe、Cu）的常用溶液是？

A.SC-1（NH4OH:H2O2:H2O）

B.SC-2（HCl:H2O2:H2O）

C.氢氟酸（HF）溶液

D.硫酸过氧化氢（SPM，H2SO4:H2O2）

答案：B

解析：SC-2（盐酸+双氧水）通过络合反应（如Cu2+与Cl?形成[CuCl4]2?）溶解金属杂质，适用于碱金属（Na、K）和重金属（Fe、Cu）去除。SC-1（氨水+双氧水）主要去除颗粒（通过OH?水解硅表面形成Si-OH，带负电排斥颗粒）；HF去除氧化层（SiO2→H2SiF6）；SPM（强氧化性）去除有机物（如光刻胶）。

6.以下哪种检测设备可直接测量光刻胶图形的关键尺寸（CD）？

A.扫描电子显微镜（SEM）

B.原子力显微镜（AFM）

C.椭偏仪（Ellipsometer）

D.X射线光电子能谱（XPS）

答案：A

解析：CD-SEM（关键尺寸扫描电镜）通过电子束扫描样品表面，利用二次电子信号成像，可精确测量线宽（精度1nm）。AFM通过探针扫描表面形貌，适合测量表面粗糙度或三维轮廓，但速度慢；椭偏仪测量薄膜厚度和光学常数；XPS分析表面元素组成及化学态。

7.物理气相沉积（PVD）制备铜互连时，需先沉积钛（Ti）或钽（Ta）薄膜，其主要作用是？

A.提高导电性

B.增强粘附性并阻挡铜扩散

C.降低表面粗糙度

D.减少应力

答案：B

解析：铜在硅和二氧化硅中扩散系数高（高温下易进入硅基体形成复合中心），需扩散阻挡层（如Ta、TaN）阻止Cu原子迁移。同时，铜与SiO2粘附性差，钛/钽层可增强Cu与底层（如低k介质）的结合力。铜本身导电性优于钛/钽，因此提高导电性非主要目的。

8.光刻工艺中，掩模误差增强因子（MEEF）的计算公式为？

A.MEEF=Δ硅片CD/Δ掩模CD

B.MEEF=Δ掩模CD/Δ硅片CD

C.MEEF=硅片CD/掩模CD

D.MEEF=掩模CD/硅片CD

答案：A

解析：MEEF反映掩模图形误差对硅片图形的放大效应。例如，若掩模线宽偏差1nm导致硅片线宽偏差2nm，则MEEF=2。MEEF1时，掩模误差会被放大，需更严格控制掩模精度（如EUV掩模MEEF可达4-5）。

9.刻蚀工艺