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半导体三极管及其基本电路试题及答案

一、选择题（每题2分，共20分）

1.某NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系应为（）

A.UCUBUEB.UCUBUEC.UBUCUED.UEUBUC

2.三极管的电流放大系数β是指（）

A.集电极电流与基极电流的直流比值

B.集电极电流变化量与基极电流变化量的交流比值

C.发射极电流与基极电流的直流比值

D.发射极电流变化量与基极电流变化量的交流比值

3.当温度升高时，三极管的反向饱和电流ICBO会（）

A.显著增大B.显著减小C.基本不变D.先增大后减小

4.共发射极放大电路中，若静态工作点Q设置过低，容易产生（）

A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真

5.某放大电路在输入信号为10mV时，输出信号为2V；输入信号为20mV时，输出信号为3.9V。该电路的电压放大倍数约为（）

A.200B.195C.190D.185

6.共集电极放大电路的主要特点是（）

A.电压放大倍数大、输入电阻小、输出电阻大

B.电压放大倍数近似为1、输入电阻大、输出电阻小

C.电压放大倍数大、输入电阻大、输出电阻小

D.电压放大倍数近似为1、输入电阻小、输出电阻大

7.为稳定放大电路的输出电流并提高输入电阻，应引入（）

A.电流串联负反馈B.电流并联负反馈

C.电压串联负反馈D.电压并联负反馈

8.三极管的穿透电流ICEO与反向饱和电流ICBO的关系为（）

A.ICEO=βICBOB.ICEO=(1+β)ICBOC.ICEO=ICBO/βD.ICEO=ICBO/(1+β)

9.某放大电路的下限截止频率fL=100Hz，上限截止频率fH=100kHz，当输入信号频率为10Hz时，输出信号会出现（）

A.高频失真B.低频失真C.线性失真D.无失真

10.测量某三极管三个电极的电位分别为：UE=2V，UB=2.7V，UC=5V，该三极管工作在（）

A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区

二、填空题（每空1分，共20分）

1.半导体三极管从结构上分为______型和______型两种，它们都包含______个PN结，分别称为______结和______结。

2.三极管实现电流放大的内部条件是：发射区掺杂浓度______，基区掺杂浓度______且厚度______，集电区面积______。

3.共发射极放大电路的直流通路用于计算______，交流通路用于分析______。

4.三极管的输出特性曲线可分为三个区域：______、______和______。当发射结______、集电结______时，三极管工作在放大区。

5.微变等效电路法适用于______信号的分析，其中三极管的输入电阻rbe可近似表示为______（写出公式），式中IEQ的单位是______。

6.多级放大电路的总电压放大倍数等于______，通频带比单级放大电路______（填“宽”或“窄”）。

7.为了消除乙类互补功率放大电路的交越失真，通常采用______类放大方式，此时三极管处于______偏置状态。

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述三极管实现电流放大的外部条件及各极电位关系（以NPN型为例）。

2.说明静态工作点Q对放大电路性能的影响，为什么需要设置合适的Q点？

3.比较共发射极、共集电极、共基极三种基本放大电路的性能特点（从电压放大倍数、输入电阻、输出电阻、频率特性等方面）。

4.什么是三极管的温度漂移？简述温度对三极管参数的影响（至少列出三种参数）。

四、计算题（共30分）

1.（10分）图1所示为固定偏置共射放大电路，已知VCC=12V，RB=300kΩ，RC=3kΩ，三极管β=50，UBE=0.7V。

（1）计算静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）；

（2）若RB减小为200kΩ，分析Q点如何变化（定性说明即可）。

2.（10分）图2所示为分压式偏置共射放大电路，已知VCC=15V，RB1=33kΩ，RB2=10kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=3kΩ，三极管β=60，UBE=0.7V，rbb=300Ω。

（1）计算静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）；

（2）画出微变等效电路；

（3）计算电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro。

3.（10分）图3所示为共集电极放大电路，已知VCC=12V，RB=200kΩ，RE=3kΩ，RL=3kΩ，三极管β=80，UBE=0.7V，rbb=200Ω。

（1）计算静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）；

（2）计算