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CCD传感器的静电防护指南
CCD（Charge-CoupledDevice，电荷耦合器件）是利用光电效应与电荷转移机制实现光信号到电信号转换的核心器件。其工作流程为：光敏二极管阵列捕获光子→光电效应生成电子-空穴对→MOS电容势阱存储电荷→时钟脉冲驱动电荷逐单元转移→输出放大器转换为电压信号→模数转换生成数字图像。
对比CMOS的核心优势与应用领域
尽管如今多数民用场景被CMOS替代，但在对画质、灵敏度、噪声要求严苛的专业领域仍具不可替代性：
科学研究：天文望远镜成像、粒子物理探测器、光谱分析设备；
医疗领域：X射线成像设备、荧光显微镜、乳腺摄影机；
工业检测：高精度机器视觉（如半导体晶圆缺陷检测、汽车零部件尺寸测量）；
航天军工：卫星遥感相机、红外夜视设备、导弹制导系统。
CCD传感器电路结构
CCD传感器静电防护方案
CCD传感器在高精度工业视觉、航天设备等场景中，静电浪涌主要通过以下路径入侵：电源端口：工业电源（如24V）易受雷击感应浪涌；数据接口：高速图像传输接口（如CameraLink、LVDS）；触发信号线：外部控制信号输入端口。
1.输入电源防护
24V工业电源需兼顾浪涌与过流保护：
浪涌防护：推荐TVS器件LM1K24CA（封装SMB，VC=35V，残压低），保护水平达2KV；过流防护：SMD1812系列PTC（6-60V，0.1-3.5A），响应速度快，可重复使用；反极性保护：肖特基二极管SK56C（60V/5A），降低电源接反时的损坏风险。
2.高速数据接口防护
CameraLink接口（传输速率最高2.38Gbps）：
ESD防护：采用ULC3304P10LVESD阵列（寄生电容0.5pF），满足IEC61000-4-2等级4（接触放电8kV，空气放电15kV），保证高频信号完整性；共模干扰抑制：串联共模扼流圈，减少数据线串扰。
LVDS接口提供655Mbit/s的传输速度，本方案采用集成器件防护,寄生电容1pf,保证信号完整性，满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电8kV，空气放电15kV。
4.电源轨静电防护
CCD传感器通常需多组电源轨：
模拟电源（3.3V）：ESD0321CW（DFN0603封装，30pF电容，21A泄放电流）；
数字电源（1.8V/1.2V）：ESD1821C（DFN0603，25pF，18A），降低电源纹波与静电干扰。
雷卯针对CCD传感器常见端口防护推荐料号
类型
品牌
型号
描述
封装
应用
ESD
Leiditech
ESD1821C
1.8V,Bi,25PF,18A
DFN0603
1.8VVCC电源静电防护
ESD
Leiditech
ESD0321CW
3.3V,Bi,30PF,21A
DFN0603
3.3VVCC电源口防静电
ESD
Leiditech
ULC0524P
5V,Uni,0.8PF,5A
DFN2510P10
LVDS接口防静电
ESD
Leiditech
ULC3304P10LV
3.3V,Uni,0.28PF,3A
DFN2510P10
MIPI高速接口防静电
ESD
Leiditech
ULC0342C13
3.3V,Bi,0.13PF,3A
DFN1006
MIPI高速接口防静电
ESD
Leiditech
SM712
7/12V,Bi,45PF,17A
SOT-23
RS485静电防护
ESD
Leiditech
SM05
5V,Uni,300PF,12A
SOT-23
RS485供电口静电防护
ESD
Leiditech
SD12C
12V,Bi,45PF,15A
SOD-323
RS232静电防护
ESD
Leiditech
SR05W
5V.Uni,3PF,20A
SOT-143
USB2.0接口静电防护
ESD
Leiditech
PESD0542U005
5V.Bi,0.05PF
DFN1006
射频天线静电防护
PTC
Leiditech
SMD1812系列
6-60V,0.1-3.5A
SMD1812
24V电源过流防护
TVS
Leiditech
LM1K24CA
24V，Vc=35V
SMB
24V电源雷击浪涌防护
Schottky
Leiditech
SK56C
60V5A
SMC
24V电源反极性防护
雷卯电子（Leiditech）致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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