薄膜制备与分析课堂讲稿第一讲.ppt

⑷蒸发速率由赫兹-努曾公式,单位时间单位面积上碰撞的气体分子数为：这也是单位时间从蒸发源单位面积上蒸发出来的分子数:PV:饱和蒸汽压所以,单位时间从蒸发源单位面积上蒸发出来的质量为:第30页，共63页，星期日，2025年，2月5日⑸沉积速率单位时间到达样品表面单位面积上的分子数为：(自证)NA:阿佛加德罗常数；M:分子量；S0:蒸发源面积。设d理为单位时间内膜层生长厚度-----沉积速率d理为膜层密度式中：d理(米/秒)第31页，共63页，星期日，2025年，2月5日但实际上并不是百分之百地凝结成膜，总有一部分原子或分子会产生解吸。因此，存在一个凝结系数α即：d实=αd理α=d实/d理不同的基板，往往凝结系数α不同，从而沉积速率d实不同.这是实验上所观察到的现象。第32页，共63页，星期日，2025年，2月5日⑹蒸发手段电阻蒸发电子束蒸发激光蒸发反应蒸发第33页，共63页，星期日，2025年，2月5日溅射制备薄膜第四讲一.溅射制备薄膜的工作原理雷电→实验模拟→阴极射管→1860年格格夫“溅射”现象阴极阳极阴极辉光负辉光阳极光柱阿斯顿暗区克鲁克斯暗区法拉第暗区阴极射线管：第34页，共63页，星期日，2025年，2月5日冷阴极发射出的电子其能量仅1.0eV，不足以激活气体，因此，形成阿斯顿暗区；电子加速后具有了能量，激活气体分子使其处于激发态，而激发态向低能级跃迁便发光，由此形成阴极辉光区；电子继续加速，具有了较大能量，经碰撞使气体分子电离而自身电子速度降低，从而无法激活气体分子，因此形成克鲁克斯暗区。显然，在这个区域里有高密度的正离子，并加速向阴极运动,从而有大电压降；慢电子再经电场加速后具有了能量，激活气体分子使其处于激活态，经跃迁到低能，由此形成负辉光区；第35页，共63页，星期日，2025年，2月5日电子加速过快，仅能电离部分气体分子，不能激活气体分子，因而是暗区，称其为法拉第暗区，并且暗区较长，经过较长的法拉第暗区，电子又慢下来；慢下来的电子具有了激活气体分子的适合能量，而使其处于激活态，经跃迁到低能级而形成阳极光柱。由此可见，电压主要降在克鲁克斯暗区，而阴极光柱的电压降很小，如图所示。阴极阳极克鲁克斯暗区V第36页，共63页，星期日，2025年，2月5日中性粒子e-电子正离子负离子返回入射离子反射离子“溅射”现象:二次发射粒子入射离子能量=热能+二次发射粒子能量95％5％中性粒子数：二次电子数：二次离子数100101加热，结晶变化，扩散，离子注入溅射理论:热学理论---局部加热蒸发，因不合实际而淘汰。动量理论---动量传递，当动能大于升华热---溅出。现普遍承认第37页，共63页，星期日，2025年，2月5日溅射参数：溅射率，溅射阀，溅射粒子速度和能量。①溅射率(溅射产额或溅射系数)平均每个正离子能从阴极上打出的原子数.实际结果：溅射率增大方向多晶材料的溅射率S：E:入射离子能量E0:升华热其推导参见：第38页，共63页，星期日，2025年，2月5日②溅射阈值入射离子使阴极靶产生溅射所需的最小能量.一般为：10-30eV/分子;而升华热为：2-8eV/分子.③溅射粒子的速率和能量Ar+轰击下，溅射粒子的平均速率为3-6×105cm/s平均能量为:10-40eV大于蒸发能量0.1-0.2eV④二极溅射淀积速率0.3-5μm/s蒸发102-105μm/s结论：溅射法：能量大，但淀积速率低蒸发法：能量小，但淀积速率快第39页，共63页，星期日，2025年，2月5日二.二极溅射、三极溅射1.二极溅射(DC直流溅射)抽气出水冷却水进Ar气等接负高压阴极溅射原理图样品靶M辉光等离子区溅射步骤：①抽真空至10-3-10-4Pa.②充入惰性气体(如Ar)至7-0.1Pa.③加数千伏的负高压,出现辉光放电.这时，被电离了的Ar离子向靶加速运动，通过动量传递，靶材原子被打出而溅射到样品上，形成薄膜。第40页，共63页，星期日，2025年，2月5日优点：二极溅射结构简单.缺点：不能溅射介质膜即绝缘膜；溅射速率低，往往需要几个小时.二极溅射的优缺点：第41页，共63页，星期日，2025年，2月5日2.三极溅射阳极(+50V)靶(-600V)磁场线圈(40-1000高斯)样