硅片加工-硅片清洗.pptxVIP

切割、研磨、抛光片清洗的工艺与流程。3表面污染和清洗简介。1硅片表面清洗的原理与方法。2第五章硅片表面的清洗主要内容

清洗的目的和意义材料表面的吸附污染与去除原理较少吸附的主要途径环境洁净度的概念硅片表面的污染种类——清洗对象1.污染和清洗简介

硅片清洗的目的：硅片加工过程中，表面会不断被各种杂质污染，为获得洁净的表面，需要采用多种方法，将硅片进行清洗，进行洁净化。一般每道工序结束之前，都有一次清洗的过程，要求做到本流程污染，本流程清洗。意义：多次清洗工序可以保证最终硅片表面的洁净性。01021）清洗的目的和意义

切片、倒角、磨片、热处理、背损伤、化学剪薄，CMP等各个阶段，在工艺结束之后，都需要进行一次清洗，尽量消除本加工阶段的污染物，从而达到一定的洁净标准。而随着加工的进行，对表面洁净度的要求也不断提高，最终抛光结束之后，还要进行一次清洗。这些清洗，一般称为：切割片清洗，研磨片清洗，抛光片清洗，其中抛光片清洗对洁净度要求最高。何时需要清洗

扫描电镜（SEM）测量的材料表面图像

表面的特点：最表层存在悬挂键，即不饱和键。表面粗糙不平整。微观表面积可能很大，而不同于宏观的表面。存在较强局域电场。表面的这些特点决定，表面易吸附杂质颗粒，而被沾污。2）材料表面的特点

材料表面吸附的原理表面吸附：硅材料的表面存在大量的悬挂键，这本身是不饱和键，因此具有很高的活性，很容易与周围原子或者颗