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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长中非等温相变现象的深度剖析与研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技迅猛发展的浪潮中，半导体材料作为关键基础材料，广泛应用于电子、通信、能源等诸多领域，对推动各领域的技术革新和产业升级起着至关重要的作用。其中，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以其独特的晶体结构和电子特性，展现出优异的光电性能，在光电器件领域占据着举足轻重的地位。

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是由化学元素周期表第II副族元素（如Zn、Cd、Hg等）与第VI主族元素（如S、Se、Te等）形成的二元、三元乃至四元化合物。这类半导体具有直接带隙特性，使得电子在导带和价带之间跃迁时无需声子参与，能够高效地实现光电转换。例如，ZnSe的禁带宽度为2.7eV，在蓝光发光二极管（LED）中表现出良好的发光性能，其发出的蓝光可用于显示技术、照明等领域，大大提高了显示的清晰度和色彩鲜艳度，以及照明的节能性和稳定性；CdTe作为重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，具有合适的禁带宽度和较高的光吸收系数，在薄膜太阳能电池领域应用广泛，为高效太阳能利用提供了重要的材料基础，有效提高了太阳能电池的能量转换效率，降低了能源成本。

在Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长过程中，非等温相变现象是一个关键且复杂的物理过程，对晶体生长质量及性能有着决定性影响。晶体生长是一个从无序的原子或分子状态转变为有序晶体结构的过程，而相变则是这一过程中的核心环节。在非等温条件下，相变过程涉及到热量传递、质量传输以及晶体界面的动态变化等多个相互耦合的因素。以垂直Bridgman法生长HgCdTe晶体为例，由于该材料属于伪二元系化合物，其相图中结晶温度间隔大，在相变界面处溶质CdTe相对于溶剂HgTe会产生严重的分凝现象。这种分凝不仅会导致晶体中溶质浓度分布不均匀，还会影响晶体的电学性能，如载流子浓度和迁移率等，进而降低器件的性能。此外，非等温相变过程中产生的热应力，若超过晶体的承受极限，会使晶体内部产生位错、裂纹等缺陷，这些缺陷会成为电子散射中心，严重影响晶体的光学性能，如降低发光效率和光的均匀性等。

深入研究Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长中的非等温相变现象，对于优化晶体生长工艺、提高晶体质量和性能，以及推动半导体产业的发展具有不可估量的重要意义。从优化晶体生长工艺角度来看，通过对非等温相变现象的研究，能够精准掌握晶体生长过程中的物理规律，从而针对性地调整生长参数，如温度梯度、拉晶速度等，有效减少溶质分凝和热应力的产生，提高晶体的完整性和均匀性。在提高晶体质量和性能方面，深入理解非等温相变现象有助于揭示晶体缺陷的形成机制，进而采取相应的措施抑制缺陷的产生，提升晶体的电学和光学性能，满足高端光电器件对材料性能的严苛要求。从推动半导体产业发展的宏观层面而言，高质量的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体是实现光电器件高性能、小型化、低成本的基础，对于提升半导体产业在全球市场的竞争力，促进相关产业的协同发展，推动国民经济的高质量发展具有重要的战略意义。

1.2国内外研究现状

在Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长的研究领域，国内外学者开展了大量富有成效的工作。在晶体生长方法方面，垂直Bridgman法（VBM）凭借其温度场稳定、温度梯度可控以及具备提纯作用等优势，成为HgCdTe、HgZnTe和CdZnTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料单晶制备的主要方法之一。刘捷和卢文强将加扩展项的轴对称双倒易边界元方法应用于数值模拟垂直Bridgman法生长HgCdTe及CdZnTe晶体过程中非等温相变传热传质问题，不仅印证了轴向溶质浓度的分区分布，还深入研究了拉晶速度对分区的影响，为优化该方法生长晶体提供了理论依据。

除了垂直Bridgman法，溶液法也是制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体的重要手段。溶剂热法和水热法在合成Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料中应用广泛。溶剂热法，也称热分解法，将金属盐和硫源在有机溶剂中反应制备纳米材料，具有制备简单、操作方便、纳米粒径可调节等优点，然而其热分解产物易挥发，导致产率偏低。水热法在高温高压的水溶液中控制酸碱度来合成纳米材料，制备出的纳米材料品质更为稳定，容易控制，适用于对材料尺寸和品质要求较高的场景，但存在操作难度高和对反应器设备要求高的问题。

气相法制备Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料也取得了显著进展，主要包括热原子化和化学气相沉积法。热原子化法利用热分解将金属粉末或氢化物等化合物生成气态金属蒸气，随后在载气辅助下沉积成纳米材料；化学气相沉积法的原料是由化学反应生成的前体物质，可通过控制化学反应过程和反应物浓度来控制将前体转化为Ⅱ-Ⅵ族半导体的过程，并且能够控制沉积物的密度和晶相。气相法制备的纳米材料品质高、尺寸可控、应