《数字电子技术基础-刘如军》ch课件.pptxVIP

2.1.1理想开关的开关特性一、静态特性1.断开2.闭合2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性SAK

二、动态特性1.开通时间：2.关断时间：闭合）（断开断开）（闭合普通开关：静态特性好，动态特性差半导体开关：静态特性较差，动态特性好几百万/秒几千万/秒SAK

2.1.2半导体二极管的开关特性一、静态特性1.外加正向电压(正偏)二极管导通(相当于开关闭合)2.外加反向电压(反偏)二极管截止(相当于开关断开)硅二极管伏安特性阴极A阳极KPN结-AK+P区N区++++++++--------正向导通区反向截止区反向击穿区0.50.7/mA/V0

D+-+-二极管的开关作用：[例]uO=0VuO=2.3V电路如图所示，试判别二极管的工作状态及输出电压。二极管截止二极管导通[解]D0.7V+-RL

外加正向电压UD0.7V二极管导通(相当于开关闭合)当uI=UIH很大时，uO≈UIH外加反向电压(反偏)二极管截止(相当于开关断开)硅二极管静态开关特性

二、动态特性1.二极管的电容效应结电容Cj扩散电容CD2.二极管的开关时间电容效应使二极管的通断需要一段延迟时间才能完成tt00(反向恢复时间)≤ton—开通时间toff—关断时间

一、静态特性NPN2.1.3半导体三极管的开关特性发射结集电结发射极emitter基极base集电极collectorbiBiCec(电流控制型)1.结构、符号和输入、输出特性(2)符号NNP(Transistor)(1)结构

(3)输入特性(4)输出特性iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAiB=04321放大区截止区饱和区0uBE/ViB/μA发射结正偏放大iC=?iB集电结反偏饱和iC＜?iB两个结正偏ICS=?IBS临界截止iB≈0,iC≈0两个结反偏电流关系状态条件

2.开关应用举例发射结反偏T截止发射结正偏T导通+?RcRb+VCC(12V)+uo?iBiCTuI3V-2V2k?2.3k?放大还是饱和？

饱和导通条件：+?RcRb+VCC+12V+uo?iBiCTuI3V-2V2k?2.3k?≤因为所以

二、动态特性3-2t00.9ICS0.1ICSt030.3t0

2.1.4MOS管的开关特性(电压控制型)MOS（Mental–Oxide–Semiconductor）金属–氧化物–半导体场效应管一、静态特性1.结构和特性：(1)N沟道栅极G漏极DB源极S3V4V5VuGS=6ViD/mGS/ViD/mA43210246810uDS/V可变电阻区恒流区UTNiD开启电压UTN=2V+-uGS+-uDS衬底漏极特性转移特性uDS=6V截止区

(2)P沟道P沟道增强型MOS管与N沟道有对偶关系。栅极G漏极DB源极SiD+-uGS+-uDS衬底iD/mAiD/mA-2-40-1-2-3-40-10-8-6-4-2-3V-4V-5VuGS=-6V-1-2-3-4-6uGS/VuDS/V可变电阻区恒流区漏极特性转移特性截止区UTPuDS=-6V开启电压UTP=-2V参考方向

2.MOS管的开关作用：(1)N沟道增强型MOS管+VDD+10VRD20k?BGDSuIuO+VDD+10VRD20k?GDSuIuO开启电压UTN=2ViD+VDD+10VRD20k?GDSuIuORONRD约几百欧姆

(2)P沟道增强型MOS管-VDD-10VRD20k?BGDSuIuO-VDD-10VRD20k?GDSuIuO开启电压UTP=-2V-VDD-10VRD20k?GDSuIuOiD

二、动态特性VDDt00.9ID0.1IDt0VDDt0栅源电容CGS栅漏电容CGD漏源电容CDSMOS管电容上电压不能突变是造成iD（uO）滞后uI变化的主要原因。MOS管动态特性差。