模拟电子学基础课件第三章.pptVIP

PN结被击穿后电流很大，容易使PN结发热，并超过它的耗散功率时，PN结将发生热击穿。热击穿——不可逆雪崩击穿齐纳击穿电击穿——可逆3.2.4PN结的反向击穿当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。这时PN结的电流和温度之间出现恶性循环，最终将导致PN结烧毁。反向电流和反向电压的乘积超过PN结允许的耗散功率第30页，共65页，星期日，2025年，2月5日扩散电容示意图3.2.5PN结的电容效应1.扩散电容CD：是由多数载流子在扩散过程中积累而引起存储电荷量的大小，取决于PN结上所加正向电压值的大小。离结越远，由于空穴与电子的复合，浓度将随之减小。当PN结处于正向偏置时，扩散运动使多数载流子穿过PN结，在对方区域PN结附近有高于正常情况时的电荷累积。扩散电容CD：若外加正向电压有一增量?V，则相应的空穴(电子)扩散运动在结的附近产生一电荷增量?Q，则若取微增量，则有第31页，共65页，星期日，2025年，2月5日end是由PN结的空间电荷区变化形成的。势垒电容的大小可用下式表示：?：半导体材料的介电比系数；S：结面积；l：耗尽层宽度。2.势垒电容CB：当PN结处于反向偏置时，PN结内电场被加强，使耗尽区加宽，即其内的正负离子电荷数增加。外加电压的大小与离子电荷数有关。空间电荷区的正负离子电荷数的增减，类似于平行板电容器两极板上电荷的变化。由于PN结宽度l随外加电压U而变化，因此势垒电容Cb不是一个常数。第32页，共65页，星期日，2025年，2月5日PN结总的结电容Cj包括势垒电容Cb和扩散电容Cd两部分。一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为Cj?Cd；当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为Cj?Cb。Cb和Cd值都很小，通常为几个皮法－几十皮法，有些结面积大的二极管可达几百皮法。综上所述：第33页，共65页，星期日，2025年，2月5日3.3半导体二极管3.3.1半导体二极管的结构3.3.2二极管的伏安特性3.3.3二极管的主要参数第34页，共65页，星期日，2025年，2月5日3.3.1半导体二极管的结构在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。(a)面接触型(b)集成电路中的平面型(c)代表符号(1)面接触型二极管PN结面积大，用于工频大电流整流电路。第35页，共65页，星期日，2025年，2月5日(2)点接触型二极管点接触型二极管的结构示意图PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。用于高频和数字电路，不能承受大电流和高反向电压。第36页，共65页，星期日，2025年，2月5日3.3.2二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线可用下式表示锗二极管2AP15的V-I特性硅二极管2CP10的V-I特性第37页，共65页，星期日，2025年，2月5日锗二极管2AP15的V-I特性硅二极管的死区电压Vth=0.5V左右；当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或门坎电压。当V＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段：当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。1.正向特性锗二极管的死区电压Vth=0.1V左右。硅二极管的正向导通电压为0.7V左右；锗二极管的正向导通电压为0.2V左右。第38页，共65页，星期日，2025年，2月5日锗二极管2AP15的V-I特性当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。2.反向特性当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：一般硅二极管的反向电流比锗管小得多3.反向击穿特性(略)第39页，共65页，星期日，2025年，2月5日3.3.3二极管的主要参数1.最大整流电流IF指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向电流的平均值。2.反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM反向击穿电压VBR：二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。最大反向工作电压VRM：为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。3.反向电流IR在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳