电工电子技术基本放大电路详解.pptxVIP

第9章基本放大电路9.7场效应型晶体管基本放大电路9.8多级放大电路9.9差分放大电路9.10功率放大电路

9.1双极型晶体管晶体管又称半导体三极管晶体管是最重要的一种半导体器件之一，它的放大作用和开关作用，促使了电子技术的飞跃。

晶体管图片

基本结构晶体管的主要类型根据结构分为:NPN型和PNP型根据使用的半导体材料分为:硅管和锗管

一、基本结构NNP基极发射极集电极NPN型BECBECPNP型PPN基极发射极集电极符号：BECEBCNPN型晶体管PNP型晶体管

结构特点：基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极集电区：面积最大

二、工作状态1.放大状态BECNNP发射结正偏、集电结反偏PNP管：发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB从电位的角度看：NPN管：发射结正偏VBVE集电结反偏VCVBEBRBECRC即:VCVBVE即:VCVBVE

二、工作状态1.放大状态发射结正偏、集电结反偏PNP管：发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB从电位的角度看：NPN管：发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB即:VCVBVE即:VCVBVECTEB+++－CTEB+－－－

1).各电极电流关系及电流放大作用晶体管电流放大的实验电路设EC=6V，改变可变电阻RB,则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化，测量结果如下表：mA?AVVmAICECIBIERB+UBE?+UCE?EBCEB3DG100

晶体管电流测量数据IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.100.0010.701.502.303.103.950.0010.721.542.363.184.05结论:(1)IE=IB+IC符合基尔霍夫定律(2)IC??IB，IC?IE(3)?IC???IB把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。

2)晶体管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO基区空穴向发射区的扩散可忽略。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。基区接电源正极，基区激发的价电子不断被电源拉走，补充空穴形成电流IBE。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，多数扩散到集电结。集电结反偏，阻挡集电区电子向基区扩散，但是它将从基区扩散来的电子拉入集电区，形成电流ICE。集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。

2)晶体管内部载流子的运动规律IC=ICE+ICBO?ICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBO?IBEICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数集－射极穿透电流,温度??ICEO?(常用公式)若IB=0,则IC?ICE0

IB微小的变化，会产生IC很大的变化。IC=βIB。0＜UCE＜UCC，UCE=UCC－RCIC。晶体管相当于通路。特点

2.饱和状态特点：IB↑,IC基本不变。IC≈UCC/RC。UCE≈0。晶体管相当于短路。条件:发射结正偏,集电结正偏。IB↑,IC↑UCE=(UCC－RCIC)↓ICM=UCC/RC电路图NPNBECRCUCCUBBRBIEICIBCERCUCC饱和状态时的晶体管

3.截止状态特点：IB=0IC=0UCE=UCC晶体管相当于开路。条件:发射结反偏,集电结反偏。电路图CERCUCC截止状态时的晶体管NPNBECRCUCCUBBRBIEICIB

晶体管处于放大状态。[例9.1.1]图示电路，晶体管的?=100，求开关S合向a、b、c时的IB、IC和UCE，并指出晶体管的工作状态（忽略UBE）。[解](1)开关S合向a时UBB1RB15500×103IB==