优化栅网设计提升碳纳米管场发射阴极发射效率研究.docxVIP

优化栅网设计提升碳纳米管场发射阴极发射效率研究

一、引言

随着现代电子技术的飞速发展，碳纳米管（CNTs）因其独特的电学和力学性质，被广泛应用于各种高精度电子器件中，其中包括场发射阴极。优化场发射阴极的性能对提升器件的整体效率和可靠性具有重要意义。栅网设计是提高场发射阴极发射效率的关键因素之一。本文旨在研究优化栅网设计对提升碳纳米管场发射阴极发射效率的影响。

二、碳纳米管场发射阴极概述

碳纳米管场发射阴极以其高亮度、高稳定性、低功耗等优点，在显示技术、真空电子器件等领域得到了广泛应用。然而，其发射效率受多种因素影响，包括材料性质、制备工艺、结构设计等。其中，栅网设计对发射效率的影响尤为显著。