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****************(1)求r*非=?
令ΔG非式求导且等于零,得:(2)求ΔG*非=?可见:非均匀形核的ΔG*非受r*非与θ两个因素的影响。由于r*非=r*,所以我们只讨论θ不同时ΔG*非的变化。*第30页,共47页,星期日,2025年,2月5日1)θ=0时,ΔG*非=0说明杂质本身就是晶核,不需要形核功。2)θ=180°时,ΔG*非=ΔG*,相当于均匀形核,基底不起作用。3)一般θ在0-180°之间变化。所以,ΔG*非ΔG*,即非均匀形核所需的ΔG*非总是小于均匀形核的ΔG*,表明基底总会促进晶核的形成。而θ↓,非均匀形核越容易,那么,影响θ角的因素是什么呢?*第31页,共47页,星期日,2025年,2月5日由前面可知:cosθ=(σLW-σαW)/σαL当液态金属确定后,σαL值固定不变,那么θ只取决于(σLW-σαW)的差值。要使θ↓,应使cosθ→1。只有σαW↓时,σαL越接近σLW,cosθ才越接近于1。即,固态质点与晶核的表面能越小,它对形核的催化效应就越高。作为非均匀形核基底是有条件的:①结构相似;
②尺寸相当。人们在这方面的认识还不全面,主要还是靠经验,加一些形核剂,促进非自发形核,↑N达到细化组织,改善性能的目的。如:Fe能促进Cu的非均匀形核;Ti能促进Al的非均匀形核。*第32页,共47页,星期日,2025年,2月5日3.N与ΔT的关系ΔT较小时N非较大N较小(1)非均匀形核率(2)均匀形核率非均匀形核率取决于以下因素:1)过冷度↑,N非↑;2)外来夹杂↑,N非↑;3)液体金属的过热↑,N非↓。上图说明:ΔT相同时,r*=r*非,但非均匀形核时,r*非只决定r,而θ才决定晶核的形状和大小。*第33页,共47页,星期日,2025年,2月5日3.4长大规律对一个晶核的发展过程来说,稳定晶核出现后,马上就进入了长大阶段。晶体长大宏观上看:是晶体界面向液相中的逐步推移;微观上看:是原子由液相中扩散到晶体表面上。所以晶体长大是有条件的:①要求液相能不断地向晶体扩散,供应原子。②要求晶体表面能不断并牢固地接纳原子。一般来说,原子的供应是不困难的,而晶体表面接纳原子的方式会由于晶体表面情况不同而不同,就出现了不同的晶体长大机制。*第34页,共47页,星期日,2025年,2月5日一.晶体的长大机制1.垂直长大机制(连续长大)L在粗糙界面上,液相原子可以连续、垂直地向界面添加,界面的性质永远不会改变。从而使界面迅速的向液相推移,这种长大方式称为垂直长大方式,它的长大速度较快,与ΔT成正比,大多数金属晶体均以这种方式长大。Vg=K1ΔT*第35页,共47页,星期日,2025年,2月5日2.二维晶核长大机制当固液界面为光滑界面时,晶体长大只能依靠二维晶核,即依靠L中的结构起伏和能量起伏,使一定大小的原子集团,落到光滑界面上,形成具有一个原子厚度并且大于临界半径的晶核,即为二维晶核。二维晶核形成后,四周出现了台阶,L中的原子靠边缘长上去,长满后再形成一个二维晶核再扩展,见图3.9。晶体以这种方式长大时,其长大速度十分缓慢。长大速度:单位时间内晶核长大的线速度,用Vg表示。 Vg=K2e-B/ΔT图3.9二维晶核机制示意图*第36页,共47页,星期日,2025年,2月5日3.螺型位错长大机制实际金属都不是理想晶体,内部存在着各种缺陷。如在光滑界面上出现一个螺型位错露头,见图3.9。它在晶体表面形成台阶。使L中原子堆砌到台阶处,每铺一排原子,台阶就向前移动一个原子间距。它的长大速度比二维晶核长大方式快得多。Vg=K3ΔT2图3.9螺型位错台阶机制示意图
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