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*MOS电容的计算(续)当Vds增加时，L?增大，Ids增加，那是因为载流子速度增加了，它与C的分配无关。然而，L?的增大是由于漏极耗尽层宽度有所增加，增大了结电容。故，Cg=Cgs+2/3CCd=Cdb+0+?Cdb*深亚微米CMOSIC工艺的寄生电容(数据) Cap. N+Act. P+Act. Poly M1 M2 M3 UnitsArea(sub.) 526 937 83 25 10 8 fF/um2Area(poly) 54 18 11 fF/um2Area(M1) 46 17 fF/um2Area(M2)
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