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新型硅基Ⅳ族光电子材料刻蚀工艺：技术、挑战与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，人类社会对数据传输和处理的需求呈现出爆炸式增长。在这个背景下，光电子技术作为实现高速、大容量信息传输与处理的关键技术，正逐渐成为全球研究的热点领域。新型硅基Ⅳ族光电子材料，因其独特的物理性质和与现有硅基微电子工艺的兼容性，在光电子领域占据着举足轻重的地位。

硅基Ⅳ族光电子材料主要包括硅（Si）、锗（Ge）、硅锗（SiGe）等，这些材料不仅具备良好的电学性能，还展现出一定的光学特性。其中，硅作为现代微电子产业的基础材料，拥有成熟的制备工艺和庞大的产业体系，为硅基Ⅳ族光电子材料的